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著者 (12件)：
資料名：
巻： 2020 号： VLSI Technology ページ： 1-2 発行年： 2020年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：202102291646136704
整理番号：21A0013202
In-situ CVDエピタクシーを用いた表面Gaブーストほう素ドープSi_0.5Geo_0.5:1.1±10≦21cm-3活性ドーピング濃度および5.7≦10-10Ω-cmν=2接触抵抗率の達成【JST・京大機械翻訳】
Surface Ga-boosted Boron-doped $¥mathrm{Si}_{0.5}¥mathrm{Geo}_{0.5}$ using In-situ CVD Epitaxy: Achieving $1.1 ¥times 10^{21}¥mathrm{cm}^{-3}$ Active Doping Concentration and $5.7¥times 10^{-10}¥Omega-¥mathrm{cm}^{2}$ Contact Resistivity
Xu Haiwen
(National University of Singapore (NUS),Department of Electrical and Computer Engineering,Singapore,117576)
,
Zhang Jishen
(National University of Singapore (NUS),Department of Electrical and Computer Engineering,Singapore,117576)
,
Lima Lucas P B
(ASM, Belgium,Leuven,Belgium,3001)
,
Margetis Joe
(ASM, America,Phoenix,AZ,USA,85034)
,
Khazaka Rami
(ASM, Belgium,Leuven,Belgium,3001)
,
Xie Qi
(ASM, Belgium,Leuven,Belgium,3001)
,
Tolle John
(ASM, America,Phoenix,AZ,USA,85034)
,
Wang Chengkuan
(National University of Singapore (NUS),Department of Electrical and Computer Engineering,Singapore,117576)
,
Wang Haibo
(National University of Singapore (NUS),Department of Electrical and Computer Engineering,Singapore,117576)
,
Zhou Zuopu
(National University of Singapore (NUS),Department of Electrical and Computer Engineering,Singapore,117576)
,
Kong Qiwen
(National University of Singapore (NUS),Department of Electrical and Computer Engineering,Singapore,117576)
,
Gong Xiao
(National University of Singapore (NUS),Department of Electrical and Computer Engineering,Singapore,117576)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020 号： VLSI Technology ページ： 1-2 発行年： 2020年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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