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J-GLOBAL ID：200901008958355660
Update date: Sep. 13, 2022
Yuga Masamitsu
ユガ マサミツ | Yuga Masamitsu
Research field (2)：
Electronic devices and equipment
, Electric/electronic material engineering
Research keywords (4)：
電子デバイス
, 電子材料工学
, Electronics Devices
, Electronics Materials
Research theme for competitive and other funds (4)：
薄膜半導体デバイスの特性
Si陽極酸化膜の特性
Characteristic of thin film Semiconductor Devices
Characteristic of Anodic Oxidation Films on Si
MISC (31)：
柚賀 正光. アモルファスシリコンを用いて試作したダイオードの順方向電流の解析. 東京工業高等専門学校研究報告書. 2010. 41. 1. 59
柚賀 正光. Si中へ拡散するP濃度の特異性に関する統計論的解釈. 東京工業高等専門学校研究報告書. 2009. 40. 1. 53
柚賀 正光. 交流による過渡現象を理解するための立体図表示. 東京工業高等専門学校研究報告書. 2008. 39. 1. 65
柚賀 正光. 電気力線を視覚的に理解するための簡単な作図法. 東京工業高等専門学校研究報告書. 2006. 38. 1. 25
柚賀 正光. Siを用いて試作した温度センサーの熱処理による影響. 東京工業高等専門学校研究報告書. 2005. 37. 1. 31
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Books (3)：
マイクロコンピュータ制御プログラミング入門
コロナ者 2006 ISBN:4339011967
パソコンで学ぶ過渡現象
森北出版株式会社 1998 ISBN:4627736118
C・C++入門
森北出版株式会社 1994 ISBN:4627836104
Lectures and oral presentations (9)：
陽極酸化の成長条件による酸化膜内のシリコンと酸素の比率
(表面技術 2004)
シリコン陽極酸化膜中の酸素分布に及ぼす電解液温度の影響
(表面技術 2002)
Analysis of the Anodic Oxidation of Single Crystalline Silicon in Ethylene Glycol Solution
(The 3rd Korea-Japan Plasuma and Thin Film Technology 1998)
P-CVD法によるa-Si:H/金属界面の性質
(応用物理学会 1987)
アモルファスシリコン薄膜の特性
(電気関係学科東北支部連合大会 1985)
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Education (6)：
- 2001 Ibaraki University
- 2001 Ibaraki University Graduate School, Division of Engineering
- 1978 Yokohama National University
- 1978 Yokohama National University Graduate School, Division of Engineering
- 1976 Yokohama National University
- 1976 Yokohama National University Faculty of Engineering
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Professional career (2)：
(BLANK) (Ibaraki University)
(BLANK) (Ibaraki University)
Work history (1)：
Tokyo National College of Technology Department of Electronic Engineering Professor
Association Membership(s) (1)：
表面技術協会
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