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J-GLOBAL ID:200901053575732601   Update date: Sep. 19, 2024

MIYAZAKI SEIICHI

MIYAZAKI SEIICHI
Research keywords  (8): 半導体ナノ構造 ,  量子ドット ,  High-k/メタルゲート ,  薄膜太陽電池 ,  薄膜トランジスタ ,  抵抗変化メモリ ,  フローティングゲートメモリデバイス ,  極微細MOSトランジスタ
Research theme for competitive and other funds  (15):
  • 2021 - 2024 ハイブリッドスーパーアトム創成による量子物性制御と新機能デバイス開発
  • 2015 - 2019 Formation of Self-Aligned Super-Atom-like Si-Ge based Quantum Dots and Characterization of Their Optical and Electrical Properties
  • 2015 - 2016 磁性合金ナノドットハイブリッド集積によるスピン物性制御と新機能メモリ応用
  • 2012 - 2015 Alignment Control and Electrical Coupling of High-density Si-based Quantum Dots
  • 2009 - 2012 Control of Electronic Properties of One-Dimensionally Self-Aligned Si-Ge based Quantum Dots and Its Electroluminescence
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Papers (182):
  • K. Makihara, Y. Yamamoto, H. Yagi, L. Li, N. Taoka, B. Tillack, S. Miyazaki. Electron emission from alignment-controlled multiple stacks of SiGe nanodots embedded in Si structures. Mat. Sci. in Semiconductor Processing. 2024. 174. 108227 (5 pages)
  • J. Baek, Y. Imai, R. Tsuji, K. Makihara, S. Miyazaki. Self-assembling mechanism of Si-QDs on thermally-grown SiO2. Jpn. J. Appl. Phys. 2024. Accepted Manuscript online 4 March 2024
  • R. Tsuji, Y. Imai, J. Baek, K. Makihara, S. Miyazaki. Self-assembling formation of Si-QDs on SiO2 line patterns. Jpn. J. Appl. Phys. 2024. 63. 3. 03SP04 (4 pages)
  • H. Saito, K. Makihara, N. Taoka, S. Miyazaki. Formation of β-FeSi2 NDs by SiH4-exposure to Fe-NDs. Jpn. J. Appl. Phys. 2024. 63. 2. 02SP99 (4 pages)
  • Formation of ultra-thin nickel silicide on SiO2 using Si/Ni/Si structures for oxidation control. Jpn. J. Appl. Phys. 2024. 63. 2. 02SP72 (5 pages)
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MISC (96):
  • A. Ohta, N. X. Truyen, N. Fujimura, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki. Total photoelectron yield spectroscopy of energy distribution of electronic states density at GaN surface and SiO2/GaN interface. Jpn. J. Appl. Phys. 2018. 57. 6S3. 06KA08 (6 pages)
  • N. X. Truyen, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, M. Shimizu, S. Miyazaki. Interface properties of SiO2/GaN structures formed by chemical vapor deposition with remote oxygen plasma mixed with Ar or He. Jpn. J. Appl. Phys. 2018. 57. 6S3. 06KA01 (7 pages)
  • A. Ohta, Y. Kato, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki. Evaluation of resistive switching properties of Si-rich oxide embedded with Ti nanodots by applying constant voltage and current. Jpn. J. Appl. Phys. 2018. 57. 6S1. 06HD05 (4 pages)
  • T. Yamamoto, N. Taoka, A. Ohta, N. X. Truyen, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, M. Shimizu, S. Miyazaki. Low-temperature formation of Ga-oxide/GaN interface with remote oxygen plasma and its interface properties. Jpn. J. Appl. Phys. 2018. 57. 6S2. 06JE01 (5 pages)
  • T. Yamamoto, N. Taoka, A. Ohta, N. X. Truyen, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, O. Nakatsuka, M. Shimizu, et al. Energy band structure and electrical properties of Ga-oxide/GaN interface formed by remote oxygen plasma. Jpn. J. Appl. Phys. 2018. 57. 6S3. 06KA05 (5 pages)
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Patents (16):
  • 半導体薄膜およびその製造方法
  • 窒化珪素膜および不揮発性半導体メモリ装置
  • 酸化ゲルマニウムの製造方法およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法
  • プラズマ装置および結晶製造方法
  • 窒化珪素膜および不揮発性半導体メモリ装置
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Books (12):
  • 化学便覧 第7版 応用化学編
    日本化学会編,丸善出版(株) 2014
  • 薄膜工学(第2版)分担執筆 第2章3節「化学気相成長法」
    丸善出版 2011
  • マイクロ・ナノ領域の超精密技術第3章2節「半導体デバイス」ISi系(極微細化の観点を中心にして)
    オーム社 2011
  • プラズマ・核融合学会誌 熱プラズマによるアモルファスシリコンの結晶化,「講座 熱流を伴う反応性プラズマを用いた材料合成プロセス 3.結晶化・相変化制御への応用」
    2009
  • 次世代半導体メモリの最新技術 第6章分担執筆:「シリコン系ナノ構造集積と機能メモリデバイス開発」
    シーエムシー出版 2009
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Lectures and oral presentations  (883):
  • GeコアSi量子ドットを内包したマイクロディスクの形成と発光特性評価
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • Feシリサイドコア/Siシェル量子ドットの形成と発光特性
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • SiO2ラインパターン上へのSi量子ドットの自己組織化形成-ラインおよびスペース幅依存性
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • Ni超薄膜へのSiH 4照射によるシリサイド化反応制御
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • Impacts of Surface Oxidation on Surface Morphology and Silicidation Reaction in Si/Ni/Si Structures Formed on SiO2
    (16th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 17th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science / 13th Asia-Pacific International Symposium on the Basics and Applications of Plasma Technology (ISPlasma 2024 / IC-PLANTS 2024 /APSPT-13 ) 2024)
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Professional career (1):
  • 工学博士 (広島大学)
Work history (14):
  • 2009/09 - 現在 公益社団法人 応用物理学会 フェロー フェロー
  • 2021/04 - 2024/03 Nagoya University Dean
  • 2017/05 - 2024/03 産業技術総合研究所 窒化物半導体先進デバイスOIL(兼務) 客員研究員
  • 2017/04 - 2024/03 Nagoya University Institute of Materials and Systems for Sustainability Center for Integrated Research of Future Electronics Professor
  • 2010/08 - 2024/03 Hiroshima University Resrarch Institute for Nanodevices
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Committee career (133):
  • 2020/07 - 現在 Nanomaterials, Editorial Board Member Editorial Board Member
  • 2020/06 - 現在 独立行政法人 日本学術振興会 R025先進薄膜界面機能創成委員会 委員
  • 2019/04 - 現在 公益社団法人 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 顧問
  • 2018/05 - 現在 公益社団法人 日本表面真空学会 中部支部 役員
  • 2015 - 現在 公益社団法人 応用物理学会 学術教育・奨励基金委員会 委員
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Awards (6):
  • 2011/03 - ISPlasma2012 Organizing Committee Chair ISPlasma2012 Best Presentation Award
  • 2010/07 - (社)応用物理学会 中国四国支部 応用物理学会 中国四国支部 貢献賞
  • 2009/09 - The Japan Society of Applied Physics JSAP Fellow Award
  • 2004/05 - Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. Selete Achievement Award
  • 2003/04 - The Japan Society of Applied Physics Jpn. J. Appl. Phys. Editorial Contribution Award
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Association Membership(s) (11):
公社)日本表面真空学会 ,  公社)日本工学教育協会 ,  The Materials Research Society of Japan ,  公社)応用物理学会 ,  公社)応用物理学会 ,  公社)応用物理学会 ,  公社)応用物理学会 ,  The Electrochemical Society ,  Material Reseach Society ,  旧)公社)日本表面科学会 ,  一社)電子情報通信学会
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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