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J-GLOBAL ID:200901059334626094   Update date: Nov. 11, 2020

Hoshikawa Keigo

ホシカワ ケイゴ | Hoshikawa Keigo
MISC (1):
  • Dynamic behavior of oxygen, heavily doped other impurities and grown-in defect in the Czochralski Si crystal growth: K.Hoshikawa,X.Huang, S.Sakai,S.Oishi,T.Taishi and K.Yamahara, The Fifth Symposium on Atomic-Scale Surface and Interface Dinamics, Tokyo・・・
Books (3):
  • 「実験物理学講座4;試料作製技術」
    2000
  • 「現代エレクトロニクスを支える単結晶成長技術」
    培風館 1999
  • 「バルク結晶成長技術」
    1995
Education (3):
  • - 1969 Shinshu University
  • - 1967 Shinshu University
  • - 1967 Shinshu University
Professional career (1):
  • Doctor of Engineering
Work history (3):
  • 1992 - - 信州大学 教育学部 教授
  • 1990 - - 東北大学 金属材料研究所 助教授
  • 1987 - - NTTLSI研究所 主幹研究員
Committee career (2):
  • 日本結晶成長学会 バルク成長分科会幹事長
  • 応用物理学会 欧文誌(Jpn.J.Appl.Phsy)論文編集委員
Awards (4):
  • 1992 - 日本結晶成長学会論文賞
  • 1987 - 大河内記念技術賞
  • 1985 - 日本金属学会技術開発賞
  • 1982 - 新技術開発事業団井上春成賞
Association Membership(s) (7):
日本教育工学会 ,  日本産業技術教育学会 ,  米国電気化学会(ECS) ,  日本結晶成長学会 ,  日本金属学会 ,  応用物理学会 ,  電子情報通信学会
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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