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J-GLOBAL ID：200901073163812792   Update date: Sep. 11, 2024

Fujishiro Hiroki

フジシロ ヒロキ | Fujishiro Hiroki
Affiliation and department：
Tokyo University of Science Faculty of Advanced Engineering, Department of Applied Electronics

About Tokyo University of Science Faculty of Advanced Engineering, Department of Applied Electronics


Job title： Professor
Homepage URL  (1)： https://fujishirolab.gitlab.io
Research field  (3)： Electronic devices and equipment ,  Electric/electronic material engineering ,  Thin-film surfaces and interfaces
Research keywords  (4)： compound semiconductor nano electron devices ,  Compound semiconductor high-speed and high-frequency devices ,  Epitaxial growth of compound semiconductors ,  Fabrication and characterization of nanostructures on semiconductor surfaces
Research theme for competitive and other funds  (6)：
  • 2007 - 2009 半導体表面上のナノ構造の作製と評価
  • 2007 - 2009 ナノデバイスシミュレータの開発
  • 2007 - 2009 ナローギャップ化合物半導体をチャネルに用いた次世代超高速デバイスの研究
  • 2007 - 2009 Fabrication and characterization of nano-structures on semiconductor surfaces
  • 2007 - 2009 Development of nano-device simulator
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Papers (238)：
  • T. Jinnai, R. Ebihara, T. Oba, W. Nakajima, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro. SEnhanced electron mobility in InSb/Ga0.22In0.78Sb composite channel HEMT structure. Proc. Compound Semiconductor Week 2024 (CSW2024) (The 50th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2024) and The 35th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2024)). 2024
  • R. Kouno, R. Yoshida, R. Ebihara, T. Jinnai, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro. High fT and fmax of double δ-doped GaInSb channel HEMTs. Proc. Compound Semiconductor Week 2024 (CSW2024) (The 50th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2024) and The 35th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2024)). 2024
  • Emin Kuwabara, Kyosuke Yamamoto, Keisuke Koseki, Shin-Ichiro Gozu, Akira Endoh, Hiroki I. Fujishiro. Size Control and Photoluminescence Characteristics of InSb Quantum Dots on GaSb Substrates Grown by Molecular Beam Epitaxy. PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE. 2024. 2300659
  • Hiroto Ishii, Wen Hsin Chang, Hiroyuki Ishii, Takashi Koida, Hiroki Fujishiro, Tatsuro Maeda. High-Responsivity Ge Schottky Photodetectors With Short-Wave Infrared Transparent Conductive Oxide Electrodes. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2023. 44. 8. 1244-1247
  • E. Kuwabara, K. Yamamoto, K. Koseki, S. Gozu, A. Endoh, and H. I. Fujishiro. Size Control and PL Characteristics for InSb/GaSb Quantum Dots. Proc. Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023) (The 49th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2023) and The 34th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2023)). 2023. FrC2-2
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MISC (152)：
  • Hiroki I. FUJISHIRO and Akira ENDOH. Bowing of Energy Gap Curve for InAsSb Calculated Using VASP Based on Hybrid Density Functional Theory. Activity Report 2023 / Supercomputer Center, Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo. 2024
  • 吉田陸人, 河野亮介, 海老原怜央, 神内智揮, 渡邊一世, 山下良美, 町田龍人, 原紳介, 笠松章史, 遠藤聡, 藤代博記. GaInSb HEMT のバリア層薄膜化による真性遅延時間低減. 第71回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集. 2024. 24p-52A-2
  • 吉田陸人, 河野亮介, 海老原怜央, 神内智揮, 渡邊一世, 山下良美, 町田龍人, 原紳介, 笠松章史, 遠藤聡, 藤代博記. 300 GHz 超fT, fmax ダブルドープ構造GaInSb HEMT. 第71回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集. 2024. 24p-52A-3
  • 神内 智揮,海老原 怜央,吉田 陸人,河野 亮介,町田 龍人,渡邊 一世,山下 良美,原 紳介,笠松 章史,遠藤 聡,藤代 博記. InSb/Ga0.22In0.78Sb複合チャネルHEMT構造の高電子移動度化. 国立研究開発法人情報通信研究機構2023年度先端ICTデバイスラボ成果報告書. 2024. 20-1-20-2
  • 石井寛仁, 張文馨, 石井裕之, 鯉田崇, 藤代博記, 前田辰郎. In2O3系透明導電性酸化膜電極を用いたGeショットキーフォトダイオードの感度特性評価. 応用物理学会電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-第29回研究会予稿集. 2024. 34
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Patents (1)：
  • 半導体装置の製造方法
Books (2)：
  • 電気・電子工学 電磁気から電子回路まで
    丸善出版 2018 ISBN:9784621302996
  • 高速・高周波デバイスの話 -情報通信システムとデバイスの接点-
    東京理科大学科学フォーラム 215号 2002
Lectures and oral presentations  (215)：
  • High fT and fmax of double δ-doped GaInSb channel HEMTs
    (Compound Semiconductor Week 2024 (CSW2024) (The 50th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2024) and The 35nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2024)) 2024)
  • Enhanced electron mobility in InSb/Ga0.22In0.78Sb composite channel HEMT structure
    (Compound Semiconductor Week 2024 (CSW2024) (The 50th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2024) and The 35nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2024)) 2024)
  • GaInSb HEMT のバリア層薄膜化による真性遅延時間低減
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • 300 GHz 超fT, fmax ダブルドープ構造GaInSb HEMT
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • In2O3系透明導電性酸化膜電極を用いたGeショットキーフォトダイオードの感度特性評価
    (応用物理学会電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理-第29回研究会 2024)
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Education (2)：
  • - 1984 Tokyo University of Science Graduate School, Division of Science and Engineering Physics
  • - 1982 Tokyo University of Science Faculty of Science and Engineering Department of Physics
Professional career (2)：
  • Doctor of Philosophy (Tokyo University of Science)
  • Master of Science (Tokyo University of Science)
Work history (6)：
  • 2010 - National Institute of Information and Communications Technology
  • 2001 - 2008 Department of Applied Electronics, Tokyo University of Science Associate Professor
  • 2008 - Department of Applied Electronics, Tokyo University of Science Professor
  • 2006 - 2007 Massachusetts Institute of Technology Visiting Scientist
  • 1995 - 2001 Oki Semiconductor Technology Laboratory Senior Researcher, Group Leader
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Committee career (132)：
  • 2023/06/08 - 2025/06/09 電子情報通信学会 エレクトロニクスシミュレーション研究専門委員会 研究専門委員
  • 2023/06/09 - 2025/06/08 電子情報通信学会 ソサイエティ論文誌編集委員会査読委員
  • 2023/06/08 - 2025/06/07 電子情報通信学会 電子デバイス研究専門委員会 学会の顧問・助言委員等
  • 2023/06/08 - 2025/06/07 電子情報通信学会 ソサイエティ論文誌編集委員会査読委員
  • 2024/05 - 2025/04 電子情報通信学会 エレクトロニクスソサイエティ学術奨励賞選定委員会委員
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Awards (1)：
  • 2011/03/15 - 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ活動功労表彰
Association Membership(s) (38)：
電子情報通信学会、電子デバイス研究専門委員会 ,  電子情報通信学会、マイクロ波シミュレータ研究専門委員会 ,  電子情報通信学会、マイクロ波シミュレータ研究 専門委員会 ,  電子情報通信学会 電子デバイス研究専門委員会 ,  電子情報通信学会 マイクロ波シミュレータ研究専門委員会 ,  電子情報通信学会 エレクトロニクスシミュレーション研究専門委員会 ,  電子情報通信学会, エレクトロニクスサイエティ ,  IEICE ,  電子情報通信学会 ,  The Japan Society of Applied Physics ,  JSAP ,  応用物理学会 ,  MWE(Microwave Workshops & Exhibition)2014 ,  International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010) ,  IEEE Tokyo Section ,  IEEE Metro Area Workshop in Tokyo, 2015 ,  IEEE Japan Council ,  9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2011) ,  8th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2009) ,  7th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2007) ,  2019 Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2019) ,  2018 Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2017) ,  2017 Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2017) ,  2015 Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2014) ,  2014 Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2014) ,  2013 Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2013) ,  2012 Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2012) ,  2011 Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2011) ,  2010 Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2010) ,  2009 Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2009) ,  2008 Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2008) ,  2006 Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2006) ,  19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2007) ,  13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2019) ,  12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2017) ,  11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2015) ,  10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2013) ,  International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO2010)
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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