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J-GLOBAL ID:200901073890641615   Update date: Sep. 27, 2024

Miyagawa Hayato

ミヤガワ ハヤト | Miyagawa Hayato
Affiliation and department:
Job title: Professor
Homepage URL  (2): http://www.eng.kagawa-u.ac.jp/~miyagawahttps://www.eng.kagawa-u.ac.jp/~miyagawa/top-e.html
Research field  (5): Inorganic materials ,  Metallic materials ,  Semiconductors, optical and atomic physics ,  Nanostructure physics ,  Nanostructure chemistry
Research keywords  (12): 磁性多層膜 ,  希土類-遷移金属合金 ,  磁性半導体デバイス ,  放射光構造解析 ,  X線磁性解析 ,  磁性材料 ,  Magnetic Multilayer ,  RE-TM compounds ,  Magnetic Semiconductor ,  Synchrotron Radiation ,  X-ray magnetic analysis ,  Magnetic Materials
Research theme for competitive and other funds  (16):
  • 2023 - 2024 SDGs未来社会を支える高効率・高機能磁性薄膜材料の開発(Development of High Effective, High Functional Magnetic Film Materials for SDGs Future Society)
  • 2020 - 2023 Crystal field Analysis of emission wavelength of Eu-doped phosphers by means of electron spin resonance
  • 2014 - 青色発光蛍光体の母体構造とEu2+発光メカニズムに関する研究
  • 2014 - Study of matrix structure and Eu2+ emission properties for blue light phosper
  • 2011 - 2012 Fabrication of Magnetic Multilayer Patterned Arrays and Current-Control of its Magnetism
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Papers (97):
  • Shintarou Ohta, Yuma Sakazaki, Tomoaki Takemura, Hayato Miyagawa. Fabrication of Fe thin film patterns embedded in Si-doped GaAs. Proceedings of The 4th Joint Workshop of Advanced Materials Science and Engineering between Hanbat National University and Kagawa University. 2024. 24-25
  • Hisatsugu Kurita, Masataka Nakamura, Hayato Miyagawa, Yoshiaki Kamigaki. Two Specific Behaviors of Breakdown Occurrence Depending on N2 Annealing Temperature in Poly-Si/SiN/Poly-Si Capacitors. ECS Journal of Solid State Science and Technology. 2023. 12. 7. 073010
  • Hayato Miyagawa, Kosuke Bunya, Hisatsugu Kurita, Masataka Nakamura, Yoshiaki Kamigaki. Electron spin resonance study of Si dangling bond defects in stacks of LPCVD-SiN film on Si(100) substrate. The 8th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials. 2022. 143-148
  • Hayato Miyagawa, Yoshiaki Kamigaki, Hisatsugu Kurita, Masataka Nakamura. Effect of N2-Anneal Temperature on Silicon Nitride Film: (II) Fine Structures of ESR Spectrum and FTIR. ECS Transactions. 2022. 108. 4. 85-92
  • Hisatsugu Kurita, Masataka Nakamura, Hayato Miyagawa, Yoshiaki Kamigaki. Effect of N2-Anneal Temperature on Silicon Nitride Film: (I) Time-Dependent Dielectric Breakdown and ESR Evaluations. ECS Transactions. 2022. 108. 4. 69-83
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MISC (45):
  • 宮川 勇人, 竹村 知晃, 文谷 公亮, 太田 伸太郎, 坂崎 佑馬. シリコンドープした半導体ガリウム砒素への磁性金属パタン埋め込み構造の作製と評価. 文部科学省マテリアル先端リサーチインフラ(ARIM Japan)利用報告書(2023). 2023. 23GA0008
  • 宮川 勇人, 三輪 謙太. 半導体デバイス内の絶縁膜(SiO, SiN)の光学特性評価. 文部科学省マテリアル先端リサーチインフラ(ARIM Japan)利用報告書. 2022. 22GA0107
  • 宮川 勇人, 竹村 知晃, 文谷 公亮. 光半導体ガリウム砒素への強磁性ライン埋込み構造の作製と評価. 文部科学省マテリアル先端リサーチインフラ(ARIM Japan)利用報告書. 2022. 22GA0008
  • 竹村知晃, 古城晴基, 宮川勇人. 半導体GaAsを用いた強磁性Feパタン埋め込み構造の作製 (Fabrication of Ferromagnetic metal Fe embedded in GaAs semiconductor matrix). 文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業 微細加工プラットフォーム (令和3年)利用報告書 (2021). 2021. F-21-GA-0008
  • 宮川勇人, 大西吉行, 小柴俊, 高橋尚志, 稲田佳彦. 希薄磁性半導体GaGdAs/GaAs超格子へのSiドープの効果. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2018. 65th
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Books (1):
  • 機能性材料科学入門
    共立出版 2021 ISBN:9784320071995
Lectures and oral presentations  (299):
  • Fabrication of Fe thin film patterns embedded in Si-doped GaAs
    (The 4th Joint Workshop of Advanced Materials Science and Engineering between Hanbat National University and Kagawa University (4th JWHK) 2024)
  • Fabrication and evaluation of Fe thin film line patterns embedded in GaAs
    (The 2nd Trilateral Symposium of SDGs 2023 - New Strategic Approaches Towards SDGs Beyond the COVID-19 Pandemic - 2023)
  • XPSによるSiN 膜の絶縁破壊に及ぼす下地Si界面へのアニール効果の検証
    (2023年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 2023)
  • SiドープしたFe埋込みGaAsの電気特性と界面構造
    (2023年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 2023)
  • SiN膜の絶縁破壊に影響する下地酸化膜の欠陥状態のESR検出
    (2023年度応用物理学会中国四国支部・若手半導体研究会 2023)
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Works (6):
  • 細径フレキシブルRFバイポーラデバイスの開発
    2017 -
  • 材料組織の方位分布決定
    2013 -
  • ナノ粒子の散布状態・粒子径観測
    2012 -
  • 干渉露光法を用いた金属ラティス構造の作製とスピン機能の制御
    2009 -
  • 希土類添加型磁性半導体発光デバイスの開発
    2006 -
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Education (3):
  • - 2002 The University of Tokyo The Graduate School of Engineering Division of Metallurgy Engineering
  • - 1999 The University of Tokyo The Graduate School of Engineering Department of Metallurgical Engineering
  • - 1997 The University of Tokyo The Faculty of Engineering Department of Materials Engineering
Professional career (1):
  • Doctor of Engineering (The University of Tokyo)
Work history (14):
  • 2009 - 現在 香川高等専門学校, 非常勤講師
  • 2006 - 2009 Kagawa University Faculty of Engineering, Department of Advanced Materials Science
  • 2006 - 2009 Department of Advanced Materials Science, Faculty of Engineering, Kagawa University, Lecturer
  • 2009 - - 香川大学工学部材料創造工学科, 准教授
  • 2009 - - Kagawa National Colledge of Technology, Adjunct Lecturer
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Committee career (6):
  • 2017/01 - 2017/12 応用物理学会中国四国支部, 応用物理学会中国四国支部研究会企画委員
  • 2016/01 - 2016/12 応用物理学会中国四国支部, 応用物理学会中国四国支部研究会企画委員
  • 2015/01 - 2015/12 応用物理学会中国四国支部, 応用物理学会中国四国支部研究会企画委員
  • 2014/01 - 2014/12 応用物理学会中国四国支部, 応用物理学会中国四国支部研究会企画委員
  • 2013/07 - 物理学会四国支部・応用物理学会中四国支部, 物理学会四国支部・応用物理学会中四国支部 学術講演会 実行委員, プログラム編成委員、会計
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Association Membership(s) (12):
応用物理学会 ,  MRS ,  MRS-J ,  日本放射光学会 ,  日本金属学会 ,  日本物理学会 ,  The Japan Society of Applied Physics ,  Material Research Society ,  Japanese Material Research Society ,  The Japanese Society for Synchrotron Radiation Research ,  The Japan Institute of Metals ,  The Physical Society of Japan
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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