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J-GLOBAL ID：200901080697489764   Update date: Jul. 22, 2024

UMEDA Takahide

ウメダ タカヒデ | UMEDA Takahide
Affiliation and department：
University of Tsukuba Institute of Pure and Applied Sciences

About University of Tsukuba Institute of Pure and Applied Sciences


Job title： Associate Professor
Research keywords  (2)： quantum sensing ,  power electronics
Research theme for competitive and other funds  (14)：
  • 2020 - 2024 ワイドギャップ半導体MOS界面欠陥の正体の横断的解明
  • 2017 - 2019 ワイドギャップ半導体MOS界面欠陥の正体の横断的解明
  • 2017 - 2019 GaN物性を最大限に発揮させる最適なパワーデバイス構造の確立とその工業的な製造プロセスに繋がる絶縁膜形成技術の研究開発
  • 2014 - 2016 炭化ケイ素中のシリコン空孔欠陥を用いた単一フォトン操作
  • 2013 - 2014 電子的欠陥評価ーDRAMトランジスタの接合リーク電流原因解析
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Papers (65)：
  • 梅田, 享英. 電柱検出ESRによるSiC中の欠陥検出のための+αの研究技術. OYO BUTURI. 2024. 93. 2. 120-124
  • Kiyoi, Akira, 梅田, 享英. How does hydrogen transform into shallow donors in silicon?. PHYSICAL REVIEW B. 2023. 108. 23. 235201
  • Sometani, Mitsuru, Nishiya, Yusuke, Kondo, Ren, Inohana, Rei, Zeng, Hongyu, Hirai, Hirohisa, Okamoto, Dai, Matsushita, Yu-ichiro, Umeda, Takahide. Energy levels of carbon dangling-bond center (PbC center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface. APL MATERIALS. 2023. 11. 11
  • Umeda, T, Watanabe, K, Hara, H, Sumiya, H, Onoda, S, Uedono, A, Chuprina, I, Siyushev, P, Jelezko, F, Wrachtrup, J, et al. Negatively charged boron vacancy center in diamond. PHYSICAL REVIEW B. 2022. 105. 16
  • Mizushima, Shigeki, Umeda, Takahide. Electron paramagnetic resonance study of silicon-28 single crystal for realization of the kilogram. METROLOGIA. 2022. 59. 2
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Books (8)：
  • SiC酸化膜界面のパッシベーション技術
    応用物理学会先進パワー半導体分科会 2016 ISBN:9784863485846
  • Oyo Buturi
    The Japan Society of Applied Physics 2016
  • EDMR分光法によるシリコンMOSFET内部の結晶欠陥観察:トランジスタの中で欠陥は何をしているのか?(ISBN:978-4-86348-235-7)
    応用物理学会分科会 シリコンテクノロジーNo.146 2012
  • 第40回 薄膜・表面物理基礎講座「ナノ材料研究者のための表面・界面の評価技術の基礎と動向」(ISBN:978-4-86348-207-4)
    応用物理学会薄膜・表面物理分科会 2011
  • Technology of Semiconductor SiC and Its Application
    日刊工業新聞社 2011
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Lectures and oral presentations  (34)：
  • a面4H-SiC MOS界面の室温~低温ESR/EDMR評価
    (先進パワー半導体分科会第10回講演会)
  • シリコンの水素ドナーの同定(1)
    (第84回応用物理学会秋季学術講演会)
  • シリコン中の水素ドナーの同定(1)
    (第84回応用物理学会秋季学術講演会)
  • シリコン中の水素ドナーの同定(2)
    (第84回応用物理学会秋季学術講演会)
  • Carbon dangling-bond energy levels at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface determined by EDMR, C-V, and first-principles calculation
    (International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM-2023))
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Education (2)：
  • - 1999 University of Tsukuba Graduate School, Division of Engineering Materials Science
  • - 1994 University of Tsukuba Third Cluster of College Materials Science
Work history (2)：
  • 1999 - 2003 NEC Corporation
  • 1998 - 1999 Japan Society for the promotion of Science Research Fellow
Awards (2)：
  • 1999/03 - 応用物理学会 応用物理学会講演奨励賞
  • 1999 - Young Scientist Award for the Presentation of an Excellent Paper
Association Membership(s) (1)：
The Japan Society of Applied Physics
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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