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J-GLOBAL ID：200901088982038068   Update date: Dec. 18, 2024

Mori Yuusuke

モリ ユウスケ | Mori Yuusuke
Affiliation and department：
Osaka University

About Osaka University


Research field  (3)： Electric/electronic material engineering ,  Crystal engineering ,  Applied materials
Research keywords  (4)： 電気材料工学 ,  Organic and bio-electronic crystal ,  Nonlinear Optical Crystal ,  Functional nitride materials
Research theme for competitive and other funds  (47)：
  • 2020 - 2023 OVPE法による超低抵抗・厚膜GaN結晶成長技術
  • 2020 - 2021 低反りGaN結晶両面研磨技術の研究開発
  • 2019 - 2021 高品質窒化ガリウム単結晶基板の開発と市場価値評価に関する共同研究
  • 2017 - 2021 電気泳動リアルタイム観察装置の研究開発
  • 2016 - 2021 NaフラックスGaN結晶上のOVPE-GaN成長技術
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Papers (637)：
  • Takahiro Kawamura, Ryogo Nishiyama, Toru Akiyama, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura. Thermal conductivity of GaN with a vacancy and an oxygen point defect. Journal of Crystal Growth. 2025. 649. 127948-1-127948-6
  • Wangxuan Zhao, Haruto Kobashi, Hiroto Takahashi, Verdad C. Agulto, Kosaku Kato, Mihoko Maruyama, Yutaro Tanaka, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura, Makoto Nakajima. Observation of Time Evolution of Phase Transitions in Calcium Phosphates by Terahertz Spectroscopy. 2024 49th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz). 2024. 1-2
  • Tomoaki Nambu, Masashi YOSHIMURA, Yusuke Mori, Yasufumi FUJIWARA, Ryota Ishii, Yoichi KAWAKAMI, Masahiro Uemukai, Tomoyuki TANIKAWA, Ryuji KATAYAMA. 199 nm vacuum-ultraviolet second harmonic generation from SrB4O7 vertical microcavity pumped with picosecond laser. Applied Physics Express. 2024
  • Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Kosuke Murakami, Kanako Okumura, Kosuke Nakamura, Keisuke Kakinouchi, Yohei Otoki, Tomio Yamashita, Naohiro Tsurumi, Satoshi Tamura, et al. Characteristics of Vertical Transistors on a GaN Substrate Fabricated via Na-Flux Method and Enlargement of the Substrate Surpassing 6 Inches. physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters. 2024. 2400106-1-2400106-10
  • Hozumi Takahashi, Yusuke Takaoka, Satomi Ebihara, Yuka Tsuri, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Hiroshi Y. Yoshikawa. Pseudopolymorphism of Sodium Acetate in Supersaturated Aqueous Solution Induced by Focused Irradiation with Ultrashort Laser Pulses. The Journal of Physical Chemistry C. 2024
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MISC (344)：
  • 道端詩, 丸山美帆子, 丸山美帆子, 田中勇太朗, 田中勇太朗, 吉村政志, 西村良浩, 植村真結, 塚本勝男, 塚本勝男, et al. Observation of surface dissolution of Calcium Oxalate Dihydrate crystals through using human kidney stones. 結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM). 2023. 52nd
  • 河村貴宏, 河村貴宏, 秋山亨, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 吉村政志, 森勇介, 森川良忠, 寒川義裕. Surface Structures of GaN under OVPE Growth Conditions and Influence of Point Defects on Optical Properties of GaN. 日本結晶成長学会誌(CD-ROM). 2023. 50. 1
  • 丸山 美帆子, 釣 優香, 吉川 洋史, 吉村 政志, 森 勇介. 光を用いた有機・バイオマテリアルの結晶構造制御技術の開発. 光アライアンス / 光アライアンス編集委員会 編. 2022. 33. 12. 43-48
  • Yoshikawa Hiroshi, Maruyama Mihoko, NakajimA Makoto, Yoshimura Masashi, Mori Yusuke. Crystal growth control of organic compounds and biomaterials by laser ablation. Optronics. 2022. 484. 159-163
  • TANDRYO Ricksen, 村上航介, 久保等, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介. Enhancing Nucleation on Micro-size GaN point-seed crystals by Utilizing Nitrogen Desorption Properties in the Na-Flux Method. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
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Patents (66)：
  • III族窒化物結晶の製造方法
  • III族窒化物結晶、III族窒化物基板、及びIII族窒化物結晶の製造方法
  • III族窒化物結晶、III族窒化物基板、及びIII族窒化物結晶の製造方法
  • III族窒化物結晶の製造方法
  • A method of manufacturing a group-IIInitride crystal includes: preparing a seed substrate; and supplying a group-IIIelement oxide gas and a nitrogen element-containing gas at a supersaturation ratio (Po/Pe) greater than 1 and equal to or less than 5, then, growing a group-IIInitride crystal on the seed substrate, wherein the Po is a supply partial pressure of the group-IIIelement oxide gas, and the Pe is an equilibrium partial pressure of the group-IIIelement oxide gas.
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Books (13)：
  • 次世代パワー半導体の開発・評価と実用化
    エヌ・ティー・エス 2022 ISBN:9784860437671
  • 医薬品原薬の結晶化と物性評価:その最先端技術と評価の実際
    シーエムシー出版 2019 ISBN:9784781314020
  • Kinetic Control in Synthesis and Self-Assembly 1st Edition
    2018 ISBN:9780128121269
  • ポストシリコン半導体 : ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果
    エヌ・ティー・エス 2013 ISBN:9784864690591
  • Nonlinear optical borate crystals : principles and applications
    Wiley 2012 ISBN:9783527410095
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Lectures and oral presentations  (108)：
  • 「第13回化合物半導体エレクトロニクス業績賞(赤﨑勇賞)受賞記念講演」 Naフラックス法を活用した大口径高品質GaN結晶育成技術の創成と社会実装
    (第70回応用物理学会 春季学術講演会 2023)
  • OVPE法による(010)面β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>成長における多結晶量のVI/III比依存性
    (公益社団法人応用物理学会結晶工学分科会 2024)
  • Naフラックス法におけるLaser-Assisted Separation (LAS) 法を用いたGaN結晶の クラック抑制
    (田中 唯意, 今西正幸, 鷲田奨吾, 住谷優, 村上航介, 宇佐美重佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介 2024)
  • Naフラックス法によるGaN結晶育成における多結晶抑制に向けた成長温度・圧力条件の検討
    (第3回結晶工学講演会 2024)
  • 流体解析を用いたSrB<sub>4</sub>O<sub>7</sub>単結晶の大型・バルク化の検討
    (第53回結晶成長国内会議(JCCG-53) 2024)
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Works (170)：
  • 真空紫外レーザー光発生用非線形光学結晶の開発
    2011 -
  • Naフラックス法を用いた高品質GaNエピタキシャル成長基板成長技術に関する研究
    2011 -
  • SiC単結晶溶液成長における流動制御
    2010 -
  • 高品質大口径単結晶基板の開発
    2010 -
  • Naフラックス法を用いた高品質GaNエピタキシャル成長基板成長技術に関する研究
    2010 -
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Education (3)：
  • 1991 - 1993 Osaka University Graduate School of Engineering Department of Electrical Engineering
  • 1989 - 1991 Osaka University Graduate School of Engineering Department of Electrical Engineering
  • 1985 - 1989 Osaka University School of Engineering
Professional career (2)：
  • (BLANK) (Osaka University)
  • (BLANK) (Osaka University)
Work history (7)：
  • 2007/05 - 現在 Osaka University Graduate School of Engineering
  • 2021/05 - 2026/04 大阪大学大学院工学研究科 電気電子情報通信工学専攻
  • 2007/04 - 2007/04 Osaka University Graduate School of Engineering
  • 2000/10 - 2007/03 Osaka University Graduate School of Engineering
  • 1999/05 - 2000/09 Osaka University, assistant professor Graduate School of Engineering
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Committee career (6)：
  • 2006 - 日本結晶成長学会 理事・総務委員会委員長
  • 2005 - レーザー学会 編集委員会委員
  • 2004 - 応用物理学会講演会企画運営委員会 講演会企画運営員及び講演奨励委員
  • 2004 - 応用物理学会講演会企画運営委員会 講演会プログラム編集委員
  • 2004 - 日本結晶成長学会 理事(庶務担当)
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Awards (29)：
  • 2024/11 - 日本結晶成長学会 日本結晶成長学会貢献賞
  • 2024/06 - * Terahertz Time-Domain Ellipsometry with Highly Improved Precision and Its Application on Wide-Bandgap Semiconductor GaN
  • 2023/03 - 応用物理学会 化合物半導体エレクトロニクス業績賞 Naフラックス法を用いた大口径高品質GaN結晶育成技術の創成と社会実現
  • 2008 - 第15回日本結晶成長学会 技術賞
  • 2008 - 文部科学大臣表彰科学技術賞
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Association Membership(s) (6)：
応用物理学会講演会企画運営委員会 ,  レーザー学会 ,  日本結晶成長学会 ,  電気学会 ,  ニューダイヤモンドフォーラム ,  応用物理学会
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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