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J-GLOBAL ID：200901091750431201   Update date: Jul. 22, 2024

YANO Hiroshi

ヤノ ヒロシ | YANO Hiroshi
Affiliation and department：
University of Tsukuba Institute of Pure and Applied Sciences

About University of Tsukuba Institute of Pure and Applied Sciences


Job title： Associate Professor
Papers (161)：
  • 矢野, 裕司. チャージポンピング法によるMOS界面欠陥評価のための+αの研究技術. Oyo Buturi. 2024. 93. 3. 179-183
  • 鈴木一広, 矢野裕司, 岩室, 憲幸. 1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析. 令和6年電気学会全国大会 講演論文集. 2024. 4. 20. 34-35
  • 菊池真矢, 矢野裕司, 岩室, 憲幸. SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析. 令和6年電気学会全国大会 講演論文集. 2024. 4. 19. 32-33
  • 森海斗, 岩室憲幸, 矢野, 裕司. 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート-ドレイン間寄生容量特性解析. 令和6年電気学会全国大会 講演論文集. 2024. 4. 22. 37-38
  • 森海斗, 岩室憲幸, 矢野, 裕司. 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価. 先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集. 2023. 101-102
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Patents (1)：
  • •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
Books (2)：
  • 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開
    シーエムシー出版 2021 ISBN:9784781316130
  • Compound Semiconductor
    Angel Business Communications publication 2017
Lectures and oral presentations  (163)：
  • SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析
    (令和6年電気学会全国大会)
  • 1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析
    (令和6年電気学会全国大会)
  • 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート-ドレイン間寄生容量特性解析
    (令和6年電気学会全国大会)
  • 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価
    (先進パワー半導体分科会 第10回講演会)
  • SiCトレンチMOSFETへの電子線照射効果
    (先進パワー半導体分科会 第10回講演会)
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Committee career (40)：
  • 2023/04 - 現在 SiCアライアンス 技術・普及WG/グループリーダー
  • 2022/10 - 現在 SSDM 2023 Program Committee/JJAP Special Issues Editors
  • 2022/10 - 現在 ICSCRM 2023 Technical Program Committee/Member
  • 2022/09 - 現在 ICSCRM International Steering Committee/Member
  • 2022/01 - 現在 SSDM 2022 Program Committee/JJAP Special Issues Editors
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※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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