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J-GLOBAL ID：201301042454462829   Update date: May. 15, 2024

Akiyama Toru

Akiyama Toru
Homepage URL  (1)： http://kaken.nii.ac.jp/d/r/40362363.ja.html
Research field  (1)： Thin-film surfaces and interfaces
Research keywords  (30)： 半導体表面構造 ,  量子ドット ,  ナノ構造 ,  量子論的アプローチ ,  計算科学 ,  成長機構 ,  状態図 ,  ぬれ層表面 ,  LSI ,  Si ,  第一原理計算 ,  酸化物表面構造 ,  High-k絶縁膜 ,  半導体 ,  絶縁膜 ,  ドーピング機構 ,  HfO_2 ,  界面 ,  界面反応 ,  表面・界面物性 ,  ナノワイヤ ,  状熊図 ,  理論 ,  シリコン酸窒化 ,  トランジスタ特性 ,  シリコンナノ構造 ,  マイクロ・ナノデバイス ,  不純物 ,  SiO_2界面 ,  量子論
Research theme for competitive and other funds  (10)：
  • 2020 - 2023 Materials design of two-dimensional octet AB compounds by bond engineering
  • 2019 - 2022 Bond engineering for quantum dot formation in nitride semiconductors
  • 2016 - 2021 Computational mateipulationrials design for hetero-bond man
  • 2017 - 2020 Material design of group-IV alloy monolayers using bond engineering concept
  • 2016 - 2019 Bond engineering in quantum dot formation mechanism
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Papers (286)：
  • Yuki Ogawa, Ryota Akaike, Jiei Hayama, Kenjiro Uesugi, Kanako Shojiki, Toru Akiyama, Takao Nakamura, Hideto Miyake. Crystal orientation control of a-plane AlN films on r-plane sapphire fabricated by sputtering and high-temperature annealing. Journal of Applied Physics. 2024
  • Toru Akiyama, Takahiro Kawamura. An Ab Initio Study for Oxygen Adsorption Behavior on Polar GaN Surfaces. physica status solidi (b). 2024
  • Hiroyuki Kageshima, Toru Akiyama, Kenji Shiraishi. First-principles study on barrier height of silicon emission from interface into oxide during silicon thermal oxidation. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 4. 04SP08-04SP08
  • Toru Akiyama, Hiroyuki Kageshima, Kenji Shiraishi. Reaction of NO molecule at 4H-SiC/SiO2 interface and its orientation dependence: a first-principles study. Japanese Journal of Applied Physics. 2024
  • Shun Matsuda, Toru Akiyama, Tetsuo Hatakeyama, Kenji Shiraishi, Takashi Nakayama. First-principles study for orientation dependence of band alignments at the 4H-SiC/SiO2 interface. Japanese Journal of Applied Physics. 2024
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MISC (366)：
  • 河村貴宏, 河村貴宏, 秋山亨, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 吉村政志, 森勇介, 森川良忠, 寒川義裕. Surface Structures of GaN under OVPE Growth Conditions and Influence of Point Defects on Optical Properties of GaN. 日本結晶成長学会誌(CD-ROM). 2023. 50. 1
  • 秋山亨, 伊藤智徳. Computational Study for Growth Mode of Group-III Nitride Epitaxial Growth. 日本結晶成長学会誌(CD-ROM). 2023. 50. 1
  • 松田隼, 秋山亨, 畠山哲夫, 白石賢二, 中山隆史. Ab initio study for orientation dependence of band alignments at 4H-SiC/SiO2 interface. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 70th
  • 影島博之, 秋山亨, 白石賢二. First-principles Study on Silicon Emission from Interface into Oxide during Silicon Thermal Oxidation. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 70th
  • 河村貴宏, 秋山亨. Band Structure Analysis of α-Ga2O3/Al2O3 Superlattices. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 70th
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Lectures and oral presentations  (13)：
  • GaN(0001)表面におけるステップ端での吸着・脱離の挙動に関する理論的検討
    (応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2019)
  • AlN(0001)基板上におけるAlGaN薄膜の成長様式に関する理論的検討
    (応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2019)
  • Twinning-superlattice formation in group III-V semiconductor nanowires from computational science viewpoint
    (日本結晶成長学会誌(CD-ROM) 2019)
  • III族窒化物二次元原子層膜の構造安定性に関する理論的検討:膜厚依存性
    (応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018)
  • III族窒化物半導体超格子におけるバンドギャップの組成依存性
    (応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018)
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Work history (2)：
  • 2015/03 - 現在 Mie University
  • 2008 - 2015/02 Mie University
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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