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J-GLOBAL ID：201601005554734516   Update date: Oct. 17, 2024

Ono Yukinori

オノ ユキノリ | Ono Yukinori
Affiliation and department：
Shizuoka University Research Institute of Electronics - Advanced Device research Division

About Shizuoka University Research Institute of Electronics - Advanced Device research Division


Job title： Professor
Homepage URL  (1)： https://wwp.shizuoka.ac.jp/nano/
Research field  (2)： Electric/electronic material engineering ,  Electronic devices and equipment
Research keywords  (12)： charge pumping method ,  semiconductor device ,  チャージポンピング法 ,  電子スピン共鳴法 ,  単一ドーパント原子 ,  半導体デバイス ,  ナノエレクトロニクス ,  シリコンデバイス ,  量子効果 ,  single dopant atom ,  electron spin resonance ,  チャージポンピング
Research theme for competitive and other funds  (18)：
  • 2022 - 2027 MOSトランジスタ構造を基盤としたシリコン超伝導
  • 2020 - 2024 シリコントランジスタのゲート制御による電子正孔系の形成と量子凝縮現象の発現
  • 2020 - 2024 電子流体効果を用いた新原理シリコンデバイスの研究
  • 2020 - 2022 Development of high-speed electron-lattice energy-conversion method for future electronics
  • 2017 - 2022 新原理エレクトロニクス創成に向けた電子系一格子系・高速エネルギー変換技術の確立
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Papers (150)：
  • Nabil Ahmed, Manjakavahoaka Razanoelina, Masahiro Hori, Akira Fujiwara, Yukinori Ono. Drag of electron-hole bilayer in silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor at low temperature. Applied Physics Express. 2024. 064003_1-5
  • Masahiro Hori, Jinya Kume, Manjakavahoaka Razanoelina, Hiroyuki Kageshima, Yukinori Ono. Electrical control of transient formation of electron-hole coexisting system at silicon metal-oxide-semiconductor interfaces. Communications Physics. 2023. 6. 1. 1-11
  • Ryo Watanabe, Fumiya Karasawa, Chikamasa Yokoyama, Kazumasa Oshima, Masahiro Kishida, Masahiro Hori, Yukinori Ono, Shigeo Satokawa, Priyanka Verma, Choji Fukuhara. Highly stable Fe/CeO2 catalyst for the reverse water gas shift reaction in the presence of H2S. RSC Advances. 2023. 13. 17. 11525-11529
  • Hiraku Toida, Koji Sakai, Tetsuhiko F. Teshima, Masahiro Hori, Kosuke Kakuyanagi, Imran Mahboob, Yukinori Ono, Shiro Saito. Magnetometry of neurons using a superconducting qubit. Communications Physics. 2023. 6. 1. 1-6
  • T. Teja Jupalli, A. Debnath, G. Prabhudesai, K. Yamaguchi, P. Jeevan Kumar, Y. Ono, D. Moraru. Room-temperature single-electron tunneling in highly-doped silicon-on-insulator nanoscale field-effect transistors. Applied Physics Express. 2022. 15. 6. 065003_1-4
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MISC (43)：
  • 樋田啓, 酒井洸児, 手島哲彦, 堀匡寛, 角柳孝輔, MAHBOOB Imran, 小野行徳, 齊藤志郎. Magnetization measurement of neurons using a superconducting flux qubit. 日本物理学会講演概要集(CD-ROM). 2023. 78. 1
  • Time-domain charge pumping on silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor devices. 2017. 116. 471. 7-12
  • Time-domain charge pumping on silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor devices. 2017. 116. 472. 7-12
  • 渡辺 時暢, 堀 匡寛, 小野 行徳. シリコン酸化膜界面欠陥の低温チャージポンピング (電子デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2016. 115. 469. 23-26
  • WATANABE Tokinobu, HORI Masahiro, TSUCHIYA Toshiaki, ONO Yukinori. Accuracy of Time Domain Charge Pumping. Technical report of IEICE. SDM. 2015. 114. 443. 13-16
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Patents (13)：
  • 走査型プローブ顕微鏡用探針
  • ゲインセル・メモリ回路及びその駆動方法
  • 単電子トランジスタ
  • 電界変調型単電子トランジスタ
  • ナノチューブの製造方法及びトランジスタの製造方法
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Books (3)：
  • 電子・物性系のための量子力学-デバイスの本質を理解する
    森北出版株式会社 2015
  • "Silicon Single-Electron Devices," in Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures
    Springer, New York 2009
  • "Single-Electron Transistor and its Logic Application" in Nanotechnology
    Wiley-VCH, Weinheim 2008
Lectures and oral presentations  (132)：
  • MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (11) -捕獲電子の再結合課程(IV)-
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (10) -捕獲電子の再結合課程(III)-
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • シリコンMOS界面における電子正孔共存系の形成
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (9) -捕獲電子の再結合課程(II)-
    (2023年 第84回 応用物理学会 秋季学術講演会 2023)
  • MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (8) -捕獲電子の再結合課程(I)-
    (2023年 第84回 応用物理学会 秋季学術講演会 2023)
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Education (3)：
  • 1996 - 博士(工学)早稲田大学
  • 1986 - 1988 Waseda University Graduate School of Science and Engineering
  • 1982 - 1986 Waseda University School of Science and Engineering
Professional career (2)：
  • Master (Waseda University)
  • Doctor (Waseda University)
Work history (6)：
  • 2016 - 現在 Shizuoka University Research Institute of Electronics
  • 2012 - 2016 University of Toyama Graduate School of Science and Engineering for Research
  • 2009 - 2012 日本電信電話株式会社 物性科学基礎研究所 主幹研究員
  • 1999 - 2009 日本電信電話株式会社 物性科学基礎研究所 主任研究員
  • 1996 - 1997 Massachusetts Institute of Technology
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Committee career (12)：
  • 2017/03 - 現在 IEEE国際会議(SNW)論文委員
  • 2017/03 - 現在 応用物理学会 シリサイド関連物質幹事
  • 2017/03 - 現在 応用物理学会 EM-Nano組織委員
  • 2017/03 - 現在 応用物理学会 MNC組織委員
  • 2013 - 現在 応用物理学会 シリサイド系半導体と関連物質研究会幹事
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Awards (12)：
  • 2023/06 - The Japan Society of Applied Physics 17th JSAP Fellow(2023) Study on Single-Charge Transport in SiO2/Si-Based Nanodevices
  • 2023/03 - 日本学術振興会 感謝状
  • 2022/04 - 国立大学静岡大学 第5期静岡大学研究フェロー
  • 2020/11 - 公益社団法人浜松電子工学奨励会 令和2年度(第34回)高柳記念賞 シリコンナノ構造における電子・電子散乱制御とそのデバイス応用に関する研究
  • 2020/04 - Ministry of Education, Culture, Sports, Science and Technology Japan Awards for Science and Technology (Research category) of the Commendation for Science and Technology by the Minister of Education, Culture, Sports, Science and Technology
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Association Membership(s) (3)：
IEEE ,  The Institute of Electronics Information and Communication Engineers (IEICE) ,  The Japan Society of Applied Physics(JSAP)
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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