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J-GLOBAL ID:201601014301577200
Update date: May. 30, 2024
Shojiki Kanako
Shojiki Kanako
Affiliation and department:
Job title:
Junior Associate Professor
Research field (1):
Crystal engineering
Research keywords (5):
Crystal growth
, 結晶成長
, 光デバイス
, 半導体
, Optical and Electric Devices of Semiconductors
Research theme for competitive and other funds (4):
- 2022 - 2025 窒化物半導体の結晶極性起因の逆符号分極電荷制御による量子閉じ込め構造の構築
- 2019 - 2022 Control of Interface Fluctuation in Nitride Semiconductor Heterostructure and its Application to Quantum Optical Devices
- 2016 - 2021 Computational materials design for hetero-bond manipulation
- 2013 - 2016 新規窒化物半導体共振器構造による光制御に関する研究
Papers (50):
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Yuki Ogawa, Ryota Akaike, Jiei Hayama, Kenjiro Uesugi, Kanako Shojiki, Toru Akiyama, Takao Nakamura, Hideto Miyake. Crystal orientation control of a-plane AlN films on r-plane sapphire fabricated by sputtering and high-temperature annealing. Journal of Applied Physics. 2024
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Zhaozong Zhang, Ryota Ishii, Kanako Shojiki, Mitsuru Funato, Daisuke Iida, Kazuhiro Ohkawa, Yoichi Kawakami. Correlative Micro-Photoluminescence Study on Hybrid Quantum-Well InGaN Red Light-Emitting Diodes. physica status solidi (b). 2024
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Shin-ichiro Sato, Kanako Shojiki, Ken-ichi Yoshida, Hideaki Minagawa, Hideto Miyake. Optical activation of implanted lanthanoid ions in aluminum nitride semiconductors by high temperature annealing. Optical Materials Express. 2024. 14. 2. 340-340
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Kanako Shojiki, Kenjiro Uesugi, Shiyu Xiao, Hideto Miyake. Polarity control of sputter-deposited AlN with high-temperature face-to-face annealing. Materials Science in Semiconductor Processing. 2023. 166. 107736-107736
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Gaku Namikawa, Kanako Shojiki, Riku Yoshida, Ryusei Kusuda, Kenjiro Uesugi, Hideto Miyake. MOVPE growth of AlN and AlGaN films on N-polar annealed and sputtered AlN templates. Journal of Crystal Growth. 2023. 617. 127256-127256
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MISC (13):
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Development of UV-C LED using high-temperature annealed sputter-deposited AlN template. 2021. 2021. 34. 17-22
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渋谷康太, 上杉謙次郎, 上杉謙次郎, XIAO Shiyu, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 秋山亨, 三宅秀人, 三宅秀人. Substrate off-cut angle dependence on fabrication of high-temperature annealed a-plane AlN on r-plane sapphire. 電子情報通信学会技術研究報告(Web). 2021. 121. 259(ED2021 15-36)
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渋谷康太, 上杉謙次郎, 上杉謙次郎, XIAO S., 正直花奈子, 窪谷茂幸, 秋山亨, 三宅秀人, 三宅秀人. Substrates Off-Cut Dependence on the Crystallinity of the a-plane AlN Prepared by Sputtering and Annealing Method. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 82nd
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嶋紘平, 中須大蔵, 正直花奈子, 上杉謙次郎, 小島一信, 上殿明良, 三宅秀人, 秩父重英. CL studies of AlN films grown on high-temperature-annealed sputtered AlN (1). 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2020. 67th
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中須大蔵, 嶋紘平, 正直花奈子, 上杉謙次郎, 小島一信, 上殿明良, 三宅秀人, 秩父重英. CL studies of AlN films grown on high-temperature-annealed sputtered AlN (2). 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2020. 67th
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Lectures and oral presentations (89):
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横型擬似位相整合4層極性反転AlN導波路による第二高調波発生の実証
(2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
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窒化物半導体中プラセオジムの4f殻内遷移発光に寄与する電子準位
(2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
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スパッタ堆積AlNのFace-to-face法アニールで作製した低らせん・混合転位密度テンプレート上発光波長263nm UV-C LED
(2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
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N極性/III族極性窒化物半導体の結晶成長と光デバイス応用に関する研究
(2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
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Atomic force microscopy and scanning near-field optical microscopy on single quantum-well InGaN blue LEDs
(2024)
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Education (4):
- 2013 - 2016 Tohoku University Graduate School of Engineering Department of Applied Physics
- 2011 - 2013 Tohoku University Graduate School of Engineering Department of Applied Physics
- 2009 - 2011 Tohoku University Faculty of Engineering
- 2004 - 2009 Takamatsu National College of Technology
Professional career (1):
- Dr. Eng. (Tohoku University)
Work history (5):
- 2023/04 - 現在 Kyoto University Graduate School of Engineering Junior Associate Professor
- 2017/10 - 2023/03 Mie University Graduate School of Engineering Assistant Professor
- 2016/04 - 2017/09 Japan Society for the Promotion of Science
- 2016/04 - 2017/02 Tohoku University Frontier Research Institute for Interdisciplinary Sciences Assistant Professor
- 2013/04 - 2016/03 Japan Society for the Promotion of Science
Committee career (7):
- 2024/03 - 2024/10 第43回電子材料シンポジウム(EMS-43) 総務委員(論文委員会担当)
- 2019/04 - 2023/11 第14回窒化物半導体国際会議 ICNS-14 実行委員(庶務委員)
- 2022/10 - 2023/10 第42回電子材料シンポジウム(EMS-42) 会場委員
- 2022/11 - 2023/02 International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity 実行委員(庶務委員)
- 2022/02 - 2022/10 第41回電子材料シンポジウム(EMS-41) 会場委員
- 2020/12 - 2021/03 International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity 実行委員(庶務委員)
- 2017/10 - 2018/11 窒化物半導体国際ワークショップ (IWN2018) プログラム 委員 (International Program Committee)
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Awards (13):
- 2024/03 - 応用物理学会 第45回(2023年度)応用物理学会論文賞 “263 nm wavelength UV-C LED on face-to-face annealed sputter-deposited AlN with low screw-andmixed-type dislocation densities”, Appl. Phys. Express 15 (2022) 055501.
- 2024/03 - 応用物理学会 応用物理学会ダイバーシティ&インクルージョン賞(D & I 賞) 第2回女性研究者研究奨励賞 N極性/III族極性窒化物半導体の結晶成長と光デバイス応用に関する研究
- 2019/06 - 第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 研究奨励賞 ラマン散乱分光法を用いたサファイア基板上AlN薄膜の局所的・異方的歪みの観測
- 2017/11 - International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD-2017) Best Young Scientist Award Site-controlled GaN Quantum Dots Embedded in AlN Films
- 2016/03 - 東北大学 総長優秀学生賞
- 2016/01 - 日本学術振興会 第6回(平成27年度)育志賞 -c面窒化インジウムガリウム混晶の有機金属気相成長と光学素子応用
- 2015/05 - The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'15) Student's Paper Award Influence of V/III ratio and layer thicknesses on MOVPE-grown N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells
- 2014/12 - 応用物理学会東北支部学術講演会 支部講演奨励賞 MOVPE法による可視光全域波長の発光を有するN極性(000-1)InGaN発光ダイオードの作製
- 2014/11 - 応用物理学会 第75回応用物理学会秋季学術講演会 講演奨励賞 サファイア基板上MOVPE成長N極性面(000-1)InGaNを用いた赤・緑・青色発光ダイオードの作製
- 2014/07 - 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第6回窒化物半導体結晶成長講演会 発表奨励賞 N極性面(000-1)InGaNによる発光ダイオードの長発光波長化
- 2014/07 - 電子材料シンポジウム 第33回電子材料シンポジウムEMS賞
- 2013/09 - 応用物理学会 第74回応用物理学会秋季学術講演会Poster Award ヒロック形成にともなうm面InGaN薄膜のIn組成分布観察
- 2011/03 - 東北大学 総長賞
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