KUSABA Akira

クサバアキラ | KUSABA Akira

Affiliation and department：
Job title： Associate Professor
Homepage URL (2)： https://sites.google.com/view/kusabalab , https://hyoka.ofc.kyushu-u.ac.jp/search/details/K007621/english.html

Research field (3)： Thin-film surfaces and interfaces , Crystal engineering , Computational science

Research keywords (5)： Crystal growth , Wide-gap semiconductor , Nitride semiconductor , First-principles calculation , Machine learning

Research theme for competitive and other funds (8)：

2024 - 2028 半導体化学気相成長の科学
2023 - 2028 Exploration of Crystal Surface Structures through Enumeration of Discrete Structures on an Infinite Plane and Similarity Design
2024 - 2027 大規模反応ネットワークで捉える気相成長理論の開拓
2021 - 2026 Study of fuel hydrogen circulation control with carbon pump
2020 - 2024 表面再構成インフォマティクスによる大規模周期構造の探索

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Papers (28)：

Tetsuji Kuboyama, Akira Kusaba. SAT Solver-Driven Approach for Validating Local Electron Counting Rule. Journal of Crystal Growth. 2025. 650. 127927
Taichi Hara, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Tetsuji Kuboyama, David Bowler, Karol Kawka, Pawel Kempisty. Exploration of stable atomic configurations in graphene-like BCN systems by Bayesian optimization. arXiv:2411.04758 [cond-mat.mtrl-sci]. 2024
Karol Kawka, Pawel Kempisty, Konrad Sakowski, Stanislaw Krukowski, Michal Bockowski, David Bowler, Akira Kusaba. Augmentation of the Electron Counting Rule with Ising Model. Journal of Applied Physics. 2024. 135. 225302
Pawel Kempisty, Karol Kawka, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa. Polar GaN Surfaces under Gallium Rich Conditions: Revised Thermodynamic Insights from Ab Initio Calculations. Materials. 2023. 16. 17. 5982
Akira Kusaba, Shugo Nitta, Kenji Shiraishi, Tetsuji Kuboyama, Yoshihiro Kangawa. Beyond ab initio reaction simulator: An application to GaN metalorganic vapor phase epitaxy. Applied Physics Letters. 2022. 121. 162101

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MISC (9)：

草場彰, 寒川義裕. 計算科学と機械学習による窒化物半導体結晶成長の研究(研究室紹介). クリスタルレターズ. 2024. 85. 60-64
草場彰. 窒化ガリウム結晶成長への情報科学技術の活用(特集「JST ACT-X AI活用で挑む学問の革新と創成」). 日本ロボット学会誌. 2023. 41. 8. 680
草場彰, 寒川義裕, 久保山哲二, 新田州吾, 白石賢二, 押山淳. GaN有機金属気相成長におけるデジタルツイン開発の現状(特集「エピタキシャル成長の量子論における新展開:シミュレーションからデジタルツインへ」). 日本結晶成長学会誌. 2023. 50. 1. 50-1-05
寒川義裕, 草場彰. 窒化物半導体の化学気相成長における表面科学の進展(特集「結晶成長ダイナミクスの展望-平衡過程と非平衡過程の協奏-」). 表面と真空. 2023. 66. 4. 227-232
佐々木真, 河原吉伸, 草場彰. データ駆動アプローチを用いた動的乱流現象の解析(小特集「磁場閉じ込め核融合プラズマにおけるデータ駆動アプローチによる物理モデリングの進展」). プラズマ・核融合学会誌. 2021. 97. 2. 79-85

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Lectures and oral presentations (121)：

ステップ離脱型ファセット化マクロステップ定常成長の「ステップ」成長方向と積層欠陥抑制
(第53回結晶成長国内会議 2024)
量子化学計算を用いたGaN有機金属気相成長の系統的反応経路探索
(第53回結晶成長国内会議 2024)
GaN結晶中のMg拡散機構の解明:モンテカルロシミュレーションによる解析
(第53回結晶成長国内会議 2024)
データ同化を用いた反応速度定数の推定によるGaN MOVPEデジタルツインの構築
(第53回結晶成長国内会議 2024)
微傾斜GaN(0001)におけるIn拡散ポテンシャル
(第53回結晶成長国内会議 2024)

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Education (4)：

2016 - 2019 Kyushu University Graduate School of Engineering Doctoral Program, Department of Aeronautics and Astronautics
2014 - 2016 Kyushu University Graduate School of Engineering Master's Program, Department of Aeronautics and Astronautics
2010 - 2014 Kyushu University School of Engineering Department of Mechanical and Aerospace Engineering
2007 - 2010 福岡県立明善高等学校理数科

Professional career (1)：

Work history (3)：

2023/12 - 現在 Kyushu University Research Institute for Applied Mechanics Associate Professor
2020/06 - 2023/11 Kyushu University Research Institute for Applied Mechanics Assistant Professor
2019/04 - 2020/05 Japan Society for the Promotion of Science Research Fellow

Committee career (2)：

Awards (14)：

2024/05 - 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会研究奨励賞データ駆動イジング模型による半導体表面再構成の研究
2021/10 - 日本結晶成長学会第19回奨励賞非平衡量子熱力学によるGaN気相成長プロセスの解明
2021/01 - International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 (ISWGPDs 2021) Outstanding Poster Award Theoretical study of the effects of H2 and NH3 on the TMG decomposition process in GaN crystal growth
2020/02 - 第25回電子デバイス界面テクノロジー研究会服部賞 GaN薄膜におけるらせん転位およびMg不純物と電子物性の相関:第一原理計算に基づく理論解析
2019/11 - 第80回応用物理学会秋季学術講演会講演奨励賞らせん転位およびMg不純物を含むGaNの電子構造解析

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Association Membership(s) (2)：

The Japan Society of Applied Physics , The Japanese Association for Crystal Growth

※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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