Rchr
J-GLOBAL ID：201901004099861283   Update date: Apr. 22, 2024

Goto Tetsuya

ゴトウ テツヤ | Goto Tetsuya
Affiliation and department：
東北大学 未来科学技術共同研究センター 開発研究部 先進半導体センサ・デバイス開発プロジェクト

About 東北大学 未来科学技術共同研究センター 開発研究部 先進半導体センサ・デバイス開発プロジェクト


Job title： 教授
Research field  (2)： Basic plasma science ,  Electric/electronic material engineering
Research keywords  (2)： Plasma ,  Semiconductor
Research theme for competitive and other funds  (6)：
  • 2022 - 2025 ポリイミド基板上に集積した多数TFTの自己整合的な特性ばらつき 均一化技術の確立
  • 2019 - 2023 分極/電荷蓄積融合型ハフニウム系不揮発性多値メモリの創製
  • 2015 - 2018 マイクロ波励起 プラズマを用いた低ダメージ薄膜形成用ミニマル装置の開発
  • 2010 - 2014 原子オーダ平坦な界面を有する3 次元立体構造トランジスタの製造プロセスに関する研究
  • 2012 - 2013 回転マグネットスパッタ技術を用いた高性能酸化物半導体 薄膜トランジスタの開発
Show all
Papers (146)：
  • Tetsuya Goto, Tomoyuki Suwa, Keita Katayama, Shu Nishida, Hiroshi Ikenoue, Shigetoshi Sugawa. Threshold voltage uniformity improvement by introducing charge injection tuning for low-temperature poly-Si thin film transistors with metal/oxide/nitride/oxide/silicon structure. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 2. 02SP51-02SP51
  • Y. Sakai, Y. Shiba, T. Inada, T. Goto, T. Suwa, T. Oikawa, A. Hamaya, A. Sutoh, T. Morimoto, Y. Shirai, et al. Visualization and Analysis of Temporal and Steady-State Gas Concentration in Process Chamber Using 70-dB SNR 1,000 fps Absorption Imaging System. IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 2023. 36. 4. 515-519
  • Tetsuya Goto, Tomoyuki Suwa, Keita Katayama, Shu Nishida, Hiroshi, Ikenoue, Shigetoshi Sugawa. Threshold Voltage Control of LTPS TFTs with MONOS Structure. 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials. 2023. E-7-02. 245-246
  • Tetsuya Goto, Tomoyuki Suwa, Keita Katayama, Shu Nishida, Hiroshi Ikenoue, Shigetoshi Sugawa. Characterization of MONOS-Type Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors. 2023 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of advanced Semiconductor Devices (AWAD2023). 2023. P-4
  • Yoshiaki Kakimoto, Keita Katayama, Takuma Yasunami, Tetsuya Goto, Daisuke Nakamura, Hiroshi Ikenoue. Excimer laser doping for the fabrication of 4H-SiC power devices. Laser Applications in Microelectronic and Optoelectronic Manufacturing (LAMOM) XXVIII. 2023. 12408
ｍore...
MISC (63)：
  • 西田 脩, 片山 慶太, 中村 大輔, 後藤 哲也, 池上 浩. 強度分布を有するエキシマレーザーアニールによる結晶粒径制御と低温ポリシリコン薄膜トランジスタ特性. 電子情報通信学会技術研究報告, シリコン材料・デバイス研究会. 2023. SDM2023-58. 27-33
  • 後藤 哲也. 磁場閉じ込め型プラズマ CVD によるシリコン窒化膜形成. 先端半導体製造プロセスの最新動向と微細化技術-成膜技術、リソグラフィ、エッチング、 CMP、洗浄-. 2023. 92-101
  • 後藤 哲也, 諏訪 智之, 片山 慶太, 西田 脩, 池上 浩, 須川 成利. MONOS 型低温ポリシリコン TFT におけるしきい値電圧制御. 第 84 回応用物理学会秋季学術講演会. 2023. 20p-B201-7. 12-088
  • 岩泉裕生, 安並拓磨, 片山慶太, 柿本祥明, 中村大輔, 後藤哲也, 池上浩. レーザードーピング後の光学顕微鏡画像を用いた機械学習による 4H-SiC 電極のコンタクト状 態の予測. 第 70 回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集. 2023. 17p-A405-4. 03-442
  • 後藤 哲也, 諏訪 智之, 須川 成利. MONOS 型ポリシリコン TFT でのしきい値電圧制御に関する検討. 第 70 回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集. 2023. 15p-B410-5. 12-016
ｍore...
Lectures and oral presentations  (6)：
  • Prediction of electrical properties of poly-Si TFTs with artificial intelligence
    (2022)
  • 半導体製造用成膜プロセスの高性能化に向けた取り組み
    (第32回マイクロエレクトロニクス研究会 2020)
  • プラズマ成膜技術の将来展望
    (化学工学会 第51回秋季大会 2020)
  • YOFコーティングのプラズマ耐性
    (応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第223回研究集会 2020)
  • Selective Laser Annealing Technology for LTPS Thin Film Transistors Fabrications
    (2019 International Conference on Solid State Devices and Materials 2019)
ｍore...
Education (1)：
  • 1995 - 2000 University of Tsukuba
Professional career (1)：
  • Ph. D (University of Tsukuba)
Work history (4)：
  • 2020/01 - 現在 東北大学 New Industry Creation Hatchery Center Professor
  • 2007/04 - 2019/12 Tohoku University New Industry Creation Hatchery Center Associate Professor
  • 2002/04 - 2007/03 Tohoku University New Industry Creation Hatchery Center Assistant Professor
  • 1997/04 - 2000/03 日本学術振興会 特別研究員(DC1:筑波大学)
Committee career (3)：
  • 2018/04 - 2019/07 日本表面真空学会 ISSP2019実行委員長
  • 2012/04 - 2014/03 電気学会 電子デバイス技術委員会 委員
  • 2011/04 - 2014/03 電気学会 編修委員会 委員
Awards (2)：
  • 2022/05 - 61st. Niwa-Takayanagi Award High Accuracy High Spatial Resolution and Real-Time CMOS Proximity Capacitance Image Sensor Technology and its Applications
  • 2013/05 - Society for Information Display, SID2013 Distinguished Paper Award, "Electrical Properties of Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors Prepared by Magnetron Sputtering Using Kr and Xe Instead of Ar"
Association Membership(s) (3)：
THE INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERS OF JAPAN ,  THE JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS ,  The Japan Society of Vacuum and Surface Science
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM