Morita Ken

Affiliation and department：

Research field (1)： Optical engineering and photonics

Research keywords (5)：量子光学 , テラヘルツ , 超高速分光 , スピントロニクス , 光物性

Research theme for competitive and other funds (30)：

2022 - 2025 高次元ポアンカレ球-高次元ブロッホ球間の光子-スピン幾何学位相変換
2021 - 2022 ラゲールガウス光による半導体中電子スピン渦の生成
2021 - 2022 テラヘルツパルスドリフトを利用した超高速スピン制御技術の確立
2019 - 2022 Research and development on terahertz-LED using sublattice reversal epitaxy
2020 - 2021 2020年度研究費獲得促進プログラム(多様型A)

2020 - 2021 THz パルスドリフトによるスピンホール効果時空間ダイナミクス計測

2017 - 2020 Spin manipulation using high power THz pulse

2016 - 2019 Research and development on terahertz light emitting diodes

2015 - 2018 Study on THz light source using quantum interference in phonon system

2014 - 2017 Ultrafast spin manipulation using the intense THz pulse

2013 - 2017 Advanced research on semiconductor optical device materials by controlling phonon transport under non-thermal equilibrium state

2016 - 2017 高強度THzパルスを利用した極限スピン物性

2016 - 2017 光ゲート法による半導体中電子スピン制御技術の確立

2012 - 2016 Ultrafast wavelength conversion device by semiconductor multilayer coupled cavity with quantum dots

2015 - 2016 チェレンコフテラヘルツパルスを利用した広帯域分光装置の開発

2015 - 2016 高感度テラヘルツ波検出を可能にする半導体永久スピン旋回状態に関する研究

2014 - 2016 半導体多層膜結合共振器によるテラヘルツLEDの研究開発

2014 - 2016 高強度チェレンコフテラヘルツパルス発生装置の開発

2012 - 2014 Investigation of two-color lasing in a semiconductor multilayer coupled cavity and terahertz wave generation

2010 - 2014 Fundamental studies on semiconductor coupled multilayer cavity for novel planar-type terahertz emission devices

2010 - 2012 インジウムヒ素量子ドット共振器中のスピンダイナミクスを利用した光応答制御

2010 - 2011 半導体微小結合共振器構造によるテラヘルツパルス波の発生と検出

2010 - 2011 分極制御した面型半導体多層膜結合共振器構造を用いた高効率波長変換素子の開発

2010 - 2011 ウエハー接合法による分極反転した結合共振器構造を用いた単色テラヘルツ光の生成

2010 - 2011 A wavelength conversion device by a semiconductor-multilayer-coupled cavity

2010 - 2011 Optical response using spin dynamics of InAs quantum dot cavity

2009 - 2011 Planar type all-optical switches of semiconductor multilayer using quantum dots

2009 - 2010 光によるQ値可変を実現する半導体多層膜共振器の創製

2007 - 2008 Coherent Phonons of Isotopically Controlled Ge

2001 - 2002 シリコン,ゲルマニウム系同位体超格子を用いたフォノン物理の研究とその応用

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Papers (91)：

Toshiki Matsumoto, Sota Sato, Shota Akei, Yuichiro Nakano, Satoshi Iba, Jun Ishihara, Katsuhiko Miyamoto, Nobuhiko Yokoshi, Takashige Omatsu, Ken Morita. Coherent transfer of the higher-order polarization state of photons to the spin structure state of electrons in a semiconductor. Optica Quantum. 2024. 2. 4. 245-245
Shota Sato, Kyohei Sugaya, Koichi Nakanishi, Nobuhide Yokota, Makoto Kohda, Ken Morita. Characterization of the out-of-plane Dresselhaus effective magnetic field in InGaAs/InAlAs (110) multiple quantum wells at room temperature. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. 4
Jun Ishihara, Takachika Mori, Takuya Suzuki, Sota Sato, Ken Morita, Makoto Kohda, Yuzo Ohno, Kensuke Miyajima. Imprinting Spatial Helicity Structure of Vector Vortex Beam on Spin Texture in Semiconductors. Physical Review Letters. 2023. 130. 12
Ayuki Arikawa, Yasuhito Saito, Koichi Nakanishi, Shota Sato, Kyohei Sugaya, Nobuhide Yokota, Makoto Kohda, Ken Morita. D’yakonov-Perel and Elliot-Yafet spin relaxation rates in InGaAs/InAlAs multiple quantum wells at room temperature. Applied Physics Express. 2022. 15. 4. 043001-043001
Koichi Nakanishi, Ayuki Arikawa, Yasuhito Saito, Daisuke Iizasa, Satoshi Iba, Yuzo Ohno, Nobuhide Yokota, Makoto Kohda, Yoshihiro Ishitani, Ken Morita. Room-temperature spin-orbit magnetic fields in slightly misoriented (110) InGaAs/InAlAs multiple quantum wells. Applied Physics Letters. 2021. 119. 3. 032405-032405

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MISC (8)：

矢作弘樹, 大隅勇汰, 角江崇, 石谷善博, 森田健. Calculation time reduction of terahertz pulse generation by FDTD method using GPU. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2020. 67th
MORITA Ken, KITADA Takahiro, ISU Toshiro. ED2012-96 Generation of Terahertz Radiation from a Semiconductor Coupled Multilayer Cavity. IEICE technical report. Electron devices. 2012. 112. 364. 17-21
MORITA Ken, UEYAMA Hyuga, KITADA Takahiro, ISU Toshiro. Ultrafast All-Optical Switches using Multilayer Cavity with Er-Doped InAs Quantum Dots Embedded in Strain-Relaxed Barriers. Technical report of IEICE. OPE. 2012. 111. 449. 31-34
KITADA Takahiro, TAKAHASHI Tomoya, MORITA Ken, ISU Toshiro. Planar-type all optical switches using GaAs/AlAs multilayer cavity with InAs quantum dots embedded in strain-relaxed barriers. IEICE technical report. 2010. 109. 401. 85-88
K. Morita, H. Sanada, S. Matsuzaka, Y. Ohno, H. Ohno. Intersubband exchange interaction induced by optically excited electron spins in GaAs/AlGaAs quantum wells. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2009. 94. 16. 162104

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Education (3)：

1999 - 2002 慶應義塾大学大学院理工学研究科博士課程
1997 - 1999 慶應義塾大学大学院理工学研究科修士課程
1993 - 1997 Keio University Faculty of Science and Technology

Professional career (1)：

工学(博士) (慶應義塾大学)

Work history (4)：

2013/04 - 現在 Chiba University Graduate School of Engineering
2006/10 - 2013/03 徳島大学フロンティア研究センター日亜寄附講座
2003/03 - 2006/09 東北大学電気通信研究所科学技術振興機構ERATO研究員
2001/04 - 2003/02 日本学術振興会特別研究員

Committee career (2)：

2020 - 現在国際固体素子・材料コンファレンス(SSDM) 論文委員
2020 - 現在先進レーザーと光源技術(ALPS)プログラム委員

Association Membership(s) (3)：

レーザー学会 , 日本図学会 , 応用物理学会

※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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