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J-GLOBAL ID：202001001837401898
Update date: Jun. 03, 2024
Watanabe Heiji
ワタナベ ヘイジ | Watanabe Heiji
Affiliation and department：
Job title：
教授
Homepage URL (1)：
http://www-ade.prec.eng.osaka-u.ac.jp/index.html
Research theme for competitive and other funds (30)：
- 2021 - 2024 炭化珪素半導体MOS界面科学と界面設計指針の再構築
- 2021 - 2024 高Sn組成GeSn結晶創成を目指したスパッタエピタキシー法の構築
- 2019 - 2023 界面反応制御を基軸とした高効率高信頼性GaN半導体MOSデバイスの創成
- 2015 - 2018 Fabrication of tensile-strained single-crystalline GeSn wires on an insulator by lateral liquid-phase epitaxy towards electronic and opto-electronic device applications
- 2013 - 2018 Development of new functional semiconductors by utilizing novel liquid-phase crystallization technique and understanding of their optoelectronic properties
- 2015 - 2017 Development of Super-resolution Technique in Transmission X-ray Imaging using Embedded X-ray Targets
- 2015 - 2017 Improvement of SiO2/SiC interface properties with beam induced interface reactions and subsequent defect passivation
- 2014 - 2017 先端ゲートスタックプロセスによる高信頼性SiC-MOSFETの開発
- 2013 - 2015 Improvement of SiO2/SiC interface quality by beam induced interface reactions
- 2012 - 2015 Fabrication of vertical strained-Ge MOSFETs by channel-last process and the electrical characterization
- 2012 - 2015 Development of SiC-based plasmonic transistors with Schottky source/drain
- 2014 - ナノ材料とシリコン技術の融合による新概念デバイスに関する研究
- 2013 - 機能性基板/生体超分子界面反応メカニズムの解明とその制御技術の研究
- 2013 - ナノ材料とシリコン技術の融合による新概念大容量メモリとそのシステム応用に関する研究
- 2012 - ナノ材料とシリコン技術の融合による新概念大容量メモリとそのシステム応用に関する研究
- 2012 - 機能性基板/生体超分子界面反応メカニズムの解明とその制御技術の研究
- 2009 - 2011 Fabrication and electrical characterization of GOI structures by rapid melt growth
- 2007 - 2011 Fabrication of High-quality SiC-MOSFETs for Advanced Power Electronics
- 2006 - 2009 Construction of High-k Gate/Strain-engineered Germanium channel Structures with Functional Nano-system
- 2009 - 東北大学通研共同プロジェクト研究「新概念材料・記憶原理に基づく大容量半導体メモリに関する研究」
- 2007 - 2008 原子制御プロセスによる超薄MOS構造の作製とその伝導特性および界面物性の解析
- 2008 - 平成20年度東北大学電気通信研究所共同プロジェクト
- 2008 - 機能性基板/生体超分子界面反応メカニズムの解明とその制御技術の研究
- 2007 - 2007 高性能SiCパワーエレクトロニクス実現に向けた理想MOS構造作製プロセスの創成
- 2007 - 高性能SiCパワーエレクトロクス実現に向けたMOS構造作製とプロセス
- 2006 - 2006 原子制御プロセスによる金属/超薄酸化膜/半導体構造の作製とその伝導特性解析
- 2004 - 2006 Fabrication of Large-Grained Polycrystalline Si Thin Films by Controlling Nucleation Sites on Glass Substrates
- 2006 - ガラス基板表面の核形成点制御による大粒径多結晶薄膜形成法の開発
- 2005 - 半導体デバイスのナノスケール局所評価技術に関する研究
- 2005 - ガラス基板表面の核形成点制御による大粒径多結晶薄膜形成法の開発
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Papers (951)：
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Takuma Kobayashi, Asato Suzuki, Takato Nakanuma, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe. Characterization of nitrided SiC(1-100) MOS structures by means of electrical measurements and X-ray photoelectron spectroscopy. Materials Science in Semiconductor Processing. 2024. 175. 108251-108251
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Kentaro Onishi, Takato Nakanuma, Kosuke Tahara, Katsuhiro Kutsuki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi. Generation of single photon emitters at a SiO2/SiC interface by high-temperature oxidation and reoxidation at lower temperatures. Applied Physics Express. 2024. 17. 5. 051004-1-051004-5
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Sosuke Iwamoto, Takayoshi Shimura, Heiji WATANABE, Takuma Kobayashi. Oxygen-related defects in 4H-SiC from first principles. Applied Physics Express. 2024. 17. 5. 051008-1-051008-5
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Takuma Kobayashi, Kazuki Tomigahara, Mikito Nozaki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe. Separate evaluation of interface and oxide hole traps in SiO2/GaN MOS structures with below- and above-gap light excitation. Applied Physics Express. 2023. 17. 1. 011003-011003
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Tae-Hyeon Kil, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe. Design of SiO2/4H-SiC MOS interfaces by sputter deposition of SiO2 followed by high-temperature CO2-post deposition annealing. AIP Advances. 2023. 13. 11. 115304-1-115304-5
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MISC (11)：
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Shirakawa H., Kamiya K., Watanabe H., Shiraishi K. 10aAS-1 Theoretical Study of Proton diffusion in SiC-MOS device. Meeting abstracts of the Physical Society of Japan. 2014. 69. 2. 674-674
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HOSOI Takuji, AZUMO Shuji, KASHIWAGI Yusaku, HOSAKA Shigetoshi, NAKAMURA Ryota, MITANI Shuhei, NAKANO Yuki, ASAHARA Hirokazu, NAKAMURA Takashi, KIMOTO Tsunenobu, et al. Performance and Reliability Improvement in SiC Power MOSFETs by Implementing AlON High-k Gate Dielectrics. Technical report of IEICE. SDM. 2013. 112. 421. 19-22
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Technology Trends and Future Prospects of High-κ Gate Dielectrics. 2012. 95. 11. 960-964
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川村浩太, 三島永嗣, 志村考功, 渡部平司, 安武潔, 神山聡, 赤坂泰志, 奈良安雄, 中村邦雄, 山田啓作. X線反射率測定によるTiN/HfSiON界面の熱安定性評価. 精密工学会大会学術講演会講演論文集. 2006. 2006. I04
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三島永嗣, 川村浩太, 志村考功, 渡部平司, 安武潔, 神山聡, 赤坂泰志, 奈良安雄, 中村邦雄, 山田啓作. 熱処理に伴うHfSiOx/SiO2/Si構造の界面酸化反応のX線CTR散乱測定. 精密工学会大会学術講演会講演論文集. 2005. 2005. 0. J45-820
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Patents (21)：
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X線位相差撮像装置
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単結晶状GeSn含有材料の製造方法および単結晶状GeSn含有材料基板
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高誘電率薄膜を用いた半導体装置の製造方法
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半導体装置およびその製造方法
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半導体装置およびその製造方法
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Books (1)：
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Fundamental Aspects of Silicon Oxidation, Springer (Layer-by-Layer Oxidation of Si(001) Surfaces, pp.89-105.)
Springer 2001
Lectures and oral presentations (80)：
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犠牲酸化プロセスによる SiC MOSFET の電気特性劣化
(第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
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Si基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化における下地SiO2膜厚とレーザー走査速度の最適化
(第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
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低温追酸化によるSiO2/SiC界面発光中心の密度制御と電気特性との相関
(第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
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第一原理計算に基づく4H-SiC中酸素関連欠陥の系統的調査
(第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
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Optimization of Laser Scanning Conditions and Thickness of SiO2 Underlayer in Laser-induced Liquid-phase Crystallization of GeSn Wires on Si substrates
(2024)
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Education (2)：
- - 1990 Osaka University Graduate School, Division of Engineering
- - 1988 Osaka University Faculty of Engineering
Work history (16)：
- 2022/07 - 現在 日本学術振興会 学術システム研究センター 主任研究員
- 2020/04/01 - 現在 Osaka University Graduate School of Engineering . Professor
- 2019/08 - 現在 大阪大学大学院工学研究科副研究科長
- 2017/04 - 現在 大阪大学・栄誉教授
- 2014/04 - 現在 大阪大学大学院工学研究科執行部(総務室長)
- 2006/11/01 - 2020/03/31 Osaka University Graduate School of Engineering Division of Science and Biotechnology Professor
- 2006/11 - 2020/03 大阪大学大学院工学研究科生命先端工学専攻 教授
- 2016/08 - 2018/08 大阪大学副理事
- 2007/07 - 2013/03 大阪大学大学院工学研究科附属超精密科学研究センター長(兼任)
- 2004/05/01 - 2006/10/31 Osaka University Graduate School of Engineering Division of Precision Science & Technology and Applied Physics Associate Professor
- 2004/05 - 2006/10 Osaka University
- 2001/06 - 2004/04 日本電気株式会社 シリコンシステム研究所 主任研究員
- 2000/07 - 2001/06 日本電気株式会社 シリコンシステム研究所 主任
- 1998/02 - 2000/07 NEC Corporation
- 1994/02 - 1998/02 JRCAT
- 1990/04 - 1994/02 NEC Corporation
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Awards (16)：
- 2022/07 - The Japan Society of Applied Physics Join JSAP 2022 JSAP Fellow Award Research and Development of Advanced MOS Devices Based on Semiconductor Surface and Interface Science
- 2021/08 - The 43rd JSAP Award for Best Review Paper Defect engineering in SiC technology for high-voltage power devices
- 2019/04 - 文部科学省 文部科学大臣表彰(科学技術賞・研究部門)
- 2015/07 - Osaka University The 4th Presidential Awards for Achievement in Research, Osaka University
- 2014/07 - Osaka University The 3rd Presidential Awards for Achievement in Research, Osaka University
- 2011/07 - Osaka University 2011 Osaka University Achievement Awards in Research
- 2011/03 - 矢崎科学技術振興記念財団 平成22年度矢崎学術賞(功績賞)
- 2011/03 - 日本学士院 第7回日本学士院学術奨励賞
- 2011/03 - 日本学術振興会 第7回日本学術振興会賞
- 2008/11 - The Japan Society of Applied Physics, Japan 2008 IWDTF Best Poster Award
- 2007/07 - 応用物理学会 第29回応用物理学会論文賞「JJAP論文賞」
- 2002/12 - 電気化学会 第62回 半導体・集積回路技術シンポジウムアワード
- 1998/11 - アトムテクノロジー研究体 平成9年度JRCAT賞特賞
- 1998/09 - 応用物理学会 第20回(1998年度)応用物理学会賞(学会賞B:奨励賞)
- 1997/03 - 応用物理学会 第1回(1996年 秋季)応用物理学会講演奨励賞
- 1996/02 - アトムテクノロジー研究体 平成7年度JRCAT賞
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Association Membership(s) (3)：
The Japan Society of Vacuum and Surface Science
, IEEE
, 応用物理学会
