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J-GLOBAL ID：202001017597308902
Update date: Jun. 07, 2024
Hiroki Akira
Hiroki Akira
Affiliation and department：
Research field (1)：
Electronic devices and equipment
Research keywords (1)：
Semiconductor devices
Research theme for competitive and other funds (1)：
- 2003 - 2005 Basic research on intra-board broad-band optical interconnects for high-performance system integration
Papers (57)：
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Ryo Takanishi, Akira Hiroki. Investigation of Threshold Voltage Definition for Nanosheet MOSFETs by Using Quantum Drift Diffusion Model. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. 2024. 144. 2. 82-87
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Haruki Goto, Akira Hiroki. Analysis of In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As n-MOSFET Characteristics using Quantum Drift Diffusion Model. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. 2023. 143. 2. 159-164
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Masashi Matsuda, Akira Hiroki. Analysis of Quantum Confinement in Nanosheet FETs by Using a Quantum Drift Diffusion Model. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. 2022. 142. 11. 1174-1179
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Daiki Ito, Akira Hiroki. Examination of Quantum Potential Coefficient in Quantum Drift Diffusion Model. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. 2020. 140. 11. 1176-1181
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Yuki Tamiya, Akira Hiroki. Mobility Model Parameters of Strained Si by Using a Quantum Drift Diffusion Model. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. 2020. 140. 11. 1171-1175
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Lectures and oral presentations (21)：
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Gate Voltage Dependence of Quantum Electron Density Distribution for Nanosheet FETs
(The 2022 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2022)
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量子ドリフト拡散モデルによるInGaAsチャネルナノシート構造の電子密度分布解析
(令和4年電気関係学会関西連合大会 2022)
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量子ドリフト拡散モデルによるナノシートMOSFETのしきい値電圧定義の検討
(令和4年電気関係学会関西連合大会 2022)
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量子ドリフト拡散モデルによる積層ナノシート構造の解析
(令和3年 電気関係学会関西連合大会 2021)
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量子ドリフト拡散モデルによるInGaAs n-MOSFETの特性解析
(令和3年 電気関係学会関西連合大会 2021)
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Association Membership(s) (5)：
一般社団法人 日本音響学会
, 一般社団法人 電気学会
, 公益社団法人 応用物理学会
, Institute of Electrical and Electronics Engineers
, 一般社団法人 電子情報通信学会
