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J-GLOBAL ID：202301009422787017   Update date: Apr. 30, 2024

YAMAGUCHI KOUICHI

ヤマグチ コウイチ | YAMAGUCHI KOUICHI
Affiliation and department：
The University of Electro-Communications Graduate School of Informatics and Engineering, School of Informatics and Engineering, "Department of Engineering Science, Cluster III (Fundamental Science and Engineering)"

About The University of Electro-Communications Graduate School of Informatics and Engineering, School of Informatics and Engineering, "Department of Engineering Science, Cluster III (Fundamental Science and Engineering)"


Job title： Professor
Other affiliations (1)：
  • The University of Electro-Communications    
Homepage URL  (1)： http://www.crystal.ee.uec.ac.jp/
Research field  (3)： Electronic devices and equipment ,  Electric/electronic material engineering ,  Nanomaterials
Research keywords  (28)： nanotechnology ,  spin ,  selective growth ,  crystal growth ,  surface and interface physics ,  scanning probe microscopy ,  semiconductor devices ,  compound semiconductor ,  epitaxial growth ,  molecular beam epitaxy ,  quantum dot ,  quantum wire ,  quantum well ,  quantum nanostructure ,  ナノテクノロジー ,  スピン ,  選択成長 ,  結晶成長 ,  表面界面物性 ,  走査型プローブ顕微鏡 ,  半導体デバイス ,  化合物半導体 ,  エピタキシャル成長 ,  分子線エピタキシー ,  量子ドット ,  量子細線 ,  量子井戸 ,  量子ナノ構造
Research theme for competitive and other funds  (35)：
  • 2022 - 2025 III-V族半導体量子ドットネットワーク構造の創製と量子デバイスへの応用
  • 2017 - 2020 ナノ液滴成長法によるSiO2/Si基板上へのInGaN量子ドットの自己形成
  • 2015 - 2020 高性能・高信頼性太陽光発電の発電コスト低減技術開発 革新的新構造太陽電池の開発 超高効率・低コストIIIーV化合物太陽光電池モジュールの研究開発(高密度量子ドット成長技術)
  • 2008 - 2015 ポストシリコン超高効率太陽電池の研究開発(自己組織化量子ドット)
  • 2011 - 2012 高密度・高均一量子ドットの作製技術を用いた次世代量子ドットレーザーの試作開発
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Papers (176)：
  • Yuji Nakazato, Naoya Miyashita, Koichi Yamaguchi. Resonant tunneling injection of electrons through double stacked GaAs/InAs quantum dots with nanohole electrode. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. 112005-1-112005-6
  • Ryusuke Nakagawa, Rikuta Watanabe, Naoya Miyashita, Koichi Yamaguchi. High-density and high-uniformity InAs quantum nanowires on Si(111) substrates. Journal of Applied Physics. 2023. 134. 15. pp.154302 1-7
  • S. Tatsugi, N. Miyashita, T. Sogabe, K. Yamaguchi. Demonstration of In-Plane Miniband Formation in InAs/InAsSb Ultrahigh-Density Quantum Dots by Analysis of Temperature Dependence of Photoluminescence. Jpn. J. Appl. Phys. 2022. 61. 102009-1-102009-7
  • K. Uno, N. Iijima, N. Miyashita, K. Yamaguchi. Self-Formation of InAs/InGaAsSb type-II Superlattice Structures on InP Substrates by MBE and Their Application to Mid-Infrared LEDs. AIP Advances. 2022. 12. 085301-1-085301-6
  • K. Shiba, R. Sugiyama, K. Yamaguchi, T. Sogabe. Quantum Dot Phase Transition Simulation with Hybrid Quantum Annealing via Metropolis-Adjusted Stochastic Gradient Langevin Dynamics. Advances in Cond. Mat. Phys. 2022. Art. ID 9711407. 1-11
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MISC (13)：
  • 山口浩一. 量子ドットの光・電子デバイスへの応用・可能性. 技術情報協会セミナー「量子ドットの設計,カドミニウムフリー化,応用,今後の展望」. 2024. 1-41
  • 山口 浩一. 面内超高密度量子ドットの自己形成と光電子デバイス応用. 金属 (アグネ技術センター). 2020. 90. 10. 43-47
  • 山口浩一. 量子ドットの基礎知識と結晶成長およびデバイス応用. R&D支援センター・セミナー資料. 2018. pp.1.-pp.73.
  • 山口浩一. 量子ドットデバイスと最先端太陽電池開発. 「クリーンテック・水素社会への挑戦」講演集. 2016. 5-16
  • 山口 浩一. 光デバイス応用に向けたIII-V族半導体量子ドットの結晶技術の進展. OPTRONICS. 2014. 394. 2014年10月. 79-84
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Patents (7)：
  • 量子ドットシート、これを用いた光電子デバイス、及び量子ドットシートの作製方法
  • 半導体光素子、及び半導体光素子の製造方法
  • 量子ドットの形成方法および太陽電池
  • 太陽電池およびその製造方法
  • 量子ドットの形成方法
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Books (12)：
  • 半導体光デバイス
    (株)コロナ社 2020
  • Molecular Beam Epitaxy
    Wiley 2019
  • ユニーク&エキサイティング サイエンスIII
    近代科学社 2014
  • Handbook of Nano-Optics and Nanophotonics
    Springer 2013
  • 量子ドット太陽電池の最前線(豊田太郎 監修)
    シーエムシー出版 2012
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Lectures and oral presentations  (335)：
  • Anomalous Photoluminescence Properties due to Strong Coupling of InAs/InAsSb In-Plane Ultrahigh-Density Quantum Dots
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • Si(111)基板上への高密度InAsSb/InAsコアシェルナノワイヤーの成長
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • InAs/InAsSb面内超高密度量子ドット層の光伝導特性
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • Photoluminescence Properties of InAs/InAsSb In-Plane Ultrahigh-Density Quantum-Dot Layer with In-Plane Enenrgy Miniband
    (Compound Semiconductor Week 2023 (CSW-2023) 2023)
  • High-Density InAs Quantum Nanowires on Si(111) Substrates by MBE
    (Compound Semiconductor Week 2023 (CSW-2023) 2023)
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Education (4)：
  • 1993 - 博士(工学) (東京大学)
  • - 1986 The University of Electro-Communications Graduate School, Division of Electro Communications 通信工学専攻
  • - 1984 The University of Electro-Communications Faculty of Electro Communications 通信工学科
  • 1977 - 1982 国立佐世保工業高等専門学校 電気工学科
Professional career (2)：
  • 工学修士 (電気通信大学)
  • 博士(工学) (東京大学)
Work history (10)：
  • 2010/04 - 現在 The University of Electro-Communications Graduate School of Informatics and Engineering Professor
  • 2022/04 - 2024/03 The University of Electro-Communications
  • 2020/04 - 2022/03 The University of Electro-Communications
  • 2018/04 - 2020/03 The University of Electro-Communications
  • 2013/04 - 2014/03 The University of Electro-Communications Graduate School of Informatics and Engineering, Faculty of Informatics and Engineering Department of Engineering Science
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Committee career (11)：
  • 2017/04 - 2018/03 社)電子情報技術産業協会 電子材料・デバイス技術専門委員会委員
  • 2016/10 - 2017/03/31 国立研究開発法人 物質・材料研究機構 研究プロジェクト事後評価委員
  • 2015/04/01 - 2017/03/31 社)電子情報技術産業協会 量子現象利用デバイス技術分科会委員長
  • 2015/04/01 - 2017/03/31 社)電子情報技術産業協会 電子材料・デバイス技術専門委員会委員
  • 2013/04 - 2015/03/31 社)電子情報技術産業協会 量子ドット利用デバイス技術分科会 委員長
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Awards (3)：
  • 2017/01 - Elsevier Outstanding Contribution in Reviewing (Journal of Crystal Growth, Elsevier)
  • 2016/01 - Elsevier Outstanding Contribution in Reviewing (Journal of Crystal Growth, Elsevier)
  • 1991/06 - 安藤博記念財団 安藤博記念学術奨励賞 クロライド系有機金属による化合物半導体の選択成長に関する研究
Association Membership(s) (3)：
応用物理学会 ,  電子情報通信学会 ,  日本結晶成長学会
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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