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J-GLOBAL ID：200901006313964678
Update date: Oct. 25, 2021
Yoshikawa Koh
ヨシカワ コウ | Yoshikawa Koh
Affiliation and department：
旧所属 山梨大学 大学院工学研究科 博士後期課程
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Job title：
大学院学生(博士課程)
Research field (2)：
Crystal engineering
, Applied materials
Research keywords (6)：
パワーデバイス
, 電力変換
, 半導体
, Power Device
, Power Conversion
, Semiconductor
Research theme for competitive and other funds (2)：
高耐圧・大容量IGBTに関する研究
Research for High Voltage and High Power IGBT
MISC (5)：
A Study on Wide RBSOA of 4.5kV Power Pack IGBT. Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Deviced and ICs. 2001. 1, 117-120
A Study on Wide RBSOA of 4.5kV Power Pack IGBT. Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Deviced and ICs. 2001. 1, 117-120
Y Takahashi, K Yoshikawa, M Soutome, T Fujii, H Kirihata, Y Seki. 2.5 kV-1000 a power pack IGBT (high power flat-packaged NPT type RC-IGBT). IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 1999. 46. 1. 245-250
Koh Yoshikawa, Takeharu Koga, Takeshi Fujii, Tsutomu Katoh, Yoshikazu Takahashi, Yasukazu Seki. A Novel Chip Design Concept of High Turn-off Current Capability and High Short Circuit Capability for 2.5kV Power Pack IGBT. Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICS. 1999. 177-180
2.5kV/1.8kAパワーパックIGBT. 電気学会研究会資料. 1997. 47-52
Education (2)：
- 1993 Kyoto University Faculty of Engineering
- 1993 Kyoto University Faculty of Engineering
Association Membership(s) (1)：
日本電気学会
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in
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For details, see here
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