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J-GLOBAL ID:200901017161008204
Update date: Feb. 09, 2023
Ochiai Takao
オチアイ タカオ | Ochiai Takao
Affiliation and department:
Job title:
SOFTWARE AND SOLUTION LABORATORIES
Research field (3):
Metallic materials
, Electric/electronic material engineering
, Information theory
Research keywords (11):
情報漏洩対策
, Spin-RAM
, TMR効果
, MRAM
, CPP-GMR
, スピン注入磁化反転
, スピントランスファー効果
, GMR効果
, Spintronics
, MRAM
, Tunnel Magneto Resistance
Research theme for competitive and other funds (5):
- 2006 - 2008 磁壁電流駆動を利用した大容量ストレージデバイスに関する研究
- 2005 - 2006 次世代HDD向け高出力MgO-TMRヘッドの開発
- 2003 - 2005 CPP-GMRスピン注入磁化反転の低電流密度化に関する研究
- 2002 - 2005 Study on spin injection into nano magnetic materials
- 2000 - 2002 半導体2次元電子ガスにおけるスピン軌道相互作用の電界強度依存性に関する研究
MISC (7):
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落合 隆夫. ナノスケールCPP-GMR素子におけるスピン注入磁化反転の低電流密度化に関する研究. 博士学位論文. 2005. 報告番号:甲第10347号
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T.Ochiai, Y.Jiang, S.Abe, A.Hirohata, N.Tezuka, S. Sugimoto, K.Inomata. Distinctive current-induced magnetization switching in a current-pependicular-to-plane giant-magnetoresistance nanopillar with a synthetic antiferromagnet free layer. Applied Physics Letters. 2005. 3. 4. 9
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Y Jiang, T Nozaki, S Abe, T Ochiai, A Hirohata, N Tezuka, K Inomata. Substantial reduction of critical current for magnetization switching in an exchange-biased spin valve. NATURE MATERIALS. 2004. 3. 6. 361-364
-
Y Jiang, S Abe, T Ochiai, T Nozaki, A Hirohata, N Tezuka, K Inomata. Effective reduction of critical current for current-induced magnetization switching by a Ru layer insertion in an exchange-biased spin valve. PHYSICAL REVIEW LETTERS. 2004. 92. 16. 167204
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T Ochiai, N Tezuka, K Inomata, S Sugimoto, Y Saito. Improved thermal stability of ferromagnetic tunnel junctions with a CoFe/CoFeOX/CoFe pinned layer. IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS. 2003. 39. 5. 2797-2799
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Patents (19):
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磁気記憶デバイスの製造方法及び磁気記憶装置
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磁性細線ユニット及び記憶装置
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磁性細線及び記憶装置
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磁気メモリ素子、磁気メモリ装置およびメモリ素子製造方法
-
磁壁移動型メモリ素子
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Lectures and oral presentations (9):
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Real time measurement of domain wall motion in ferromagnetic nano-wires by using tunnel magnetoresistance effect.
(53rd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM2008) 2008)
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Current and Field Induced Domain Wall Motion in NiFe and NiFePt Nano-Wires
(The IEEE Nanotechnology Materials and Device Conference (NMDC2008) 2008)
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NiFe およびNiFePt 細線における磁壁移動の挙動
(第32回日本磁気学会学術講演会(2008) 2008)
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ナノCPP-GMR素子の作製とその電気伝導特性
(2003年日本金属学会学術講演会秋季大会 2003)
-
Current Induced Magnetization Switching in Nano-Scale Spin-Valve-Type CPP-GMR Junctions
(2003 Interim Reports by Young Researchers (October 27th, 2003) 2003)
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Education (3):
- - 2005 Tohoku University
- - 2002 Japan Advanced Institute of Science and Technology
- - 2000 Tohoku University Faculty of Engineering
Professional career (2):
- 修士 (北陸先端科学技術大学院大学)
- 博士(工学) (東北大学)
Work history (12):
- 2009/04/10 - 株式会社富士通研究所ソフトウェア&ソリューション研究所セキュアコンピューティング研究部
- 2008/06/23 - 株式会社富士通研究所 磁気デバイス研究部兼
- 2008/03/21 - 株式会社富士通研究所磁気デバイス研究部
- 2007/07/01 - 株式会社富士通研究所 磁気デバイス研究部兼
- 2007/04/01 - 株式会社富士通研究所 磁気デバイス研究部兼
- 2006/06/06 - 株式会社富士通研究所 磁気ディスク先行研究部兼
- 2005/04/01 - 株式会社富士通研究所 磁気ディスク先行研究部
- 富士通株式会社知的財産権本部情報部先端技術研究室
- 兼富士通株式会社法務・知的財産権本部情報部先端技術研究室
- 富士通株式会社電子デバイス事業本部デバイス開発統括部第一プロセス開発部
- 富士通株式会社電子デバイス事業本部デバイス開発統括部第一プロセス開発部
- 富士通株式会社 電子デバイス事業本部デバイス開発統括部第一プロセス開発部
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Association Membership(s) (2):
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