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J-GLOBAL ID：200901022226337808   Update date: Jan. 17, 2024

Miyoshi Tanroku

ミヨシ タンロク | Miyoshi Tanroku
Affiliation and department：
Former Institution / Organization Kobe University Faculty of Engineering Department of Electrical and Electronics Engineering

About Former Institution / Organization Kobe University Faculty of Engineering Department of Electrical and Electronics Engineering


Research field  (2)： Electronic devices and equipment ,  Electric/electronic material engineering
Research keywords  (11)： 量子電子工学 ,  電磁波工学 半導体電子工学 ,  光デバイス ,  電子デバイス ,  Quantum ,  Electronics ,  Engineering Semiconductor ,  Electromagnetic-Wave ,  Devices ,  Optical ,  Electron Devices
Research theme for competitive and other funds  (9)：
  • 次世代デバイス設計支援ツールの開発
  • 計算電磁波工学に関する研究
  • ナノ構造の光物性と半導体レーザに関する研究
  • ナノ構造の基礎物理とデバイス応用に関する研究
  • Analysis and Design of Electromagnetic Wave Devices
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Papers (15)：
  • Mori Takashi, Azuma Yusuke, Tsuchiya Hideaki, Miyoshi Tanroku. Comparative Study on Drive Current of III-V Semiconductor, Ge and Si Channel n- mosfets based on Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation. IEEE Trans. on Nanotechnology. 2008. 7. 2. 237-241
  • Helmy Fitriawan, Matsuto Ogawa, Satofumi Souma, Tanroku Miyoshi. Non-equilibrium Green's function method for modeling quantum electron transport in nano-scale devices with anisotropic multiband structure. JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS. 2008. 19. 2. 107-110
  • Helmy Fitriawan, Matsuto Ogawa, Satofumi Souma, Tanroku Miyoshi. Quantum electron transport modeling in uniaxially strained silicon channel of double-gate MOSFETs. PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 1. 2008. 5. 1. 74-77
  • Tsuchiya Hideaki, Fujii Kazuya, Mori Takashi, Miyoshi Tanroku. A quantum-corrected Monte Carlo study on quasi-ballistic transport in nanoscale MOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices. 2006. 53. 12. 2965-2971
  • H Tsuchiya, A Oda, M Ogawa, T Miyoshi. Quantum-corrected Monte Carlo and molecular dynamics simulation on electron-density-dependent velocity saturation in silicon metal-oxide-semiconductor field-effect transistors. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS. 2005. 44. 11. 7820-7826
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MISC (59)：
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Books (4)：
  • ナノエレクトロニクスの基礎
    培風館 2007
  • Microwave integrated circuits
    Marcel Dekker, Inc. 1991
  • 光・電磁波論
    培風館 1987
  • 平面回路
    オーム社 1975
Works (6)：
  • 光ファイバカップラーおよび光変調器の設計
    1987 - 1992
  • Design of optical fiber couplers and optical modulators
    1987 - 1992
  • 半導体レーザおよび半導体光集積回路の設計
    1985 - 1990
  • Design of semiconductor lasers and optical integrated circuits
    1985 - 1990
  • 誘導加熱装置の漏洩電磁波の抑制に関する研究
    1978 - 1982
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Education (2)：
  • - 1972 The University of Tokyo The Graduate School of Engineering
  • - 1967 The University of Tokyo The Faculty of Engineering Department of Electrial Engineering
Professional career (1)：
  • Ph.D. (The University of Tokyo)
Work history (4)：
  • 1987 - Kobe University
  • 1982/04 - 1984/03 Bell Laboratories Electronics Research Laboratory Visiting Researcher
  • 1976/06 - McGill University Electrical Engineering Visiting Professor
  • 1972 - Kobe University
Committee career (6)：
  • 2001 - 2004 輻射科学研究会 評議員
  • 1999 - 2004 日本シミュレーション学会 理事
  • 1998 - 2004 応用物理学会 JJAP誌論文委員
  • 1977 - 2004 電子情報通信学会 論文委員
  • 1976 - 1997 IEEE Editorial Board Member of MTT
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Awards (4)：
  • 2006/09 - 電子情報通信学会 エレクトロニクスソサイエティ賞
  • 1995 - 日本シミュレーション学会 奨励賞
  • 1978 - 電子情報通信学会 著述賞
  • 1975 - 電子情報通信学会 米澤賞
Association Membership(s) (6)：
輻射科学研究会 ,  IEEE ,  電気学会 ,  日本シミュレーション学会 ,  応用物理学会 ,  電子情報通信学会
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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