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J-GLOBAL ID：200901029116852027   Update date: Aug. 23, 2024

Nohira Hiroshi

ノヒラ ヒロシ | Nohira Hiroshi
Affiliation and department：
Tokyo City University Department of Electrical, Electronics and Communication Engineering, Faculty of Science and Engineering, Tokyo City University

About Tokyo City University Department of Electrical, Electronics and Communication Engineering, Faculty of Science and Engineering, Tokyo City University


Job title： Professor
Other affiliations (1)：
  • Tokyo City University  Graduate School Research Division in Engineering, Electrical and Electronic Engineering, Tokyo City University, Graduate School of Engineering, Electrical and Electronic Engineering 
Research field  (4)： Electric/electronic material engineering ,  Thin-film surfaces and interfaces ,  Nanobioscience ,  Nanomaterials
Research keywords  (4)： 表面界面物性 ,  電子・電気材料工学 ,  Surface Physics ,  Electronic and Electric Materials Engineering.
Research theme for competitive and other funds  (29)：
  • 2019 - 2022 Two-terminal resistance change memory based on interface dipole modulation
  • 2016 - 2019 Multi-stack interface dipole modulation memory and analog operation dynamics
  • 2015 - 2018 Study of terminal structure and electronic band structure of diamond surface by angle-resolved photoelectron spectroscopy
  • 2014 - 2017 XPS Study on ultra thin SiO2 film formed on Si substrates with several surface orientations
  • 2009 - 2012 Demonstration of innovative Germanium optoelectronic devices and developments of simulation technologies
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Papers (138)：
  • Tomoya Tsutsumi, Kazuki Goshima, Yoshiharu Kirihara, Tatsuki Okazaki, Akira Yasui, Kuniyuki Kakushima, Yuichiro Mitani, Hiroshi Nohira. Effects of plasma oxidation and plasma nitridation on chemical bonding state of AlScN evaluated by AR-HAXPES. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 4. 04SP66-04SP66
  • Noriyuki Miyata, Kyoko Sumita, Akira Yasui, Ryousuke Sano, Reito Wada, Hiroshi Nohira. Electrically induced change in HfO2/1-monolayer TiO2/SiO2metal-oxide-semiconductor stacks: Capacitance-voltage and hard X-ray photoelectron spectroscopy studies. Applied Physics Express. 2021. 14. 7. 071005-071005
  • 野平博司, 笹子知弥, 室隆桂之. Analysis of Effect of Plasma Nitridation on SiO2/SiC by Angle-Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy. SPring-8/SACLA利用研究成果集(Web). 2020. 8. 2. 251-253
  • Takuji Takahashi, Daisuke Fujita, Hirokazu Fukidome, Ken Ichi Fukui, Hiroki Hibino, Masami Kageshima, Tadahiro Komeda, Ken Nakajima, Makoto Nakamura, Tomonobu Nakayama, et al. Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures/Scanning Probe Microscopy. Japanese Journal of Applied Physics. 2019. 58. SI
  • R. Sano, S. Konoshima, K. Sawano, H. Nohira. Effect of strain on the binding energy of Ge 2p and 3d core level. Semiconductor Science and Technology. 2019. 34. 1
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MISC (203)：
  • 野平博司, 桐原芳治, 辻口良太, 小山涼, 家城大輔, 中田和吉, 石川亮佑, 石川亮佑. XPS Evaluation of ALD-TiO2 layer for perovskite/Si tandem solar cell application. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
  • 石川亮佑, 石川亮佑, 家城大輔, 桐原芳治, 辻口良太, 小山涼, 中田和吉, 野平博司. Evaluation of ALD-TiO2 layer for perovskite/Si tandem solar cell application. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
  • 桐原芳治, 和田励虎, 辻口良太, 保井晃, 宮田典幸, 野平博司. Elucidation of Interface Dipole Modulation Mechanism by Hard X-ray Photoemission Spectroscopy. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th. 2279-2279
  • 辻口良太, 桐原芳治, 角嶋邦之, 保井晃, 野平博司. HAXPES evaluation of the chemical bond state of the elements in the polarization-inverted AlScN film. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 82nd
  • 桐原芳治, 辻口良太, 保井晃, 宮田典幸, 野平博司. Confirmation of Interface Dipole Modulation Generation by Hard X-ray Photoemission Spectroscopy. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 82nd
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Books (2)：
  • Fundamental Aspects of Silicon Oxidation
    Springer-Verlag Berlin Germany (総ページ数260) 2001
  • Fundamental Aspects of Silicon Oxidation
    Springer-Verlag Berlin Germany 2001
Lectures and oral presentations  (309)：
  • ラジカル窒化処理したSiO2/4H-SiCの窒素分布のXPSによる評価
    (応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会 「ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-」(第19回研究会) (旧 「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会) 2014)
  • HXPESによるFe3 Si/Geヘテロ構造の評価
    (応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会 「ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-」(第19回研究会) (旧 「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会) 2014)
  • 高空間分解能HXPESによるSiGe価電子帯への一軸歪みの影響の検出
    (応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会 「ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-」(第19回研究会) (旧 「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会) 2014)
  • ALD法を用いたLa2O3/In0.53Ga0.47As構造に及ぼす(NH4)2S表面処理の効果
    (応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会 「ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-」(第19回研究会) (旧 「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会) 2014)
  • AR-XPS による4H-SiC の初期酸化過程の解明
    (第61 回応用物理学会春季学術講演会 2014)
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Education (1)：
  • - 1991 Tokyo Institute of Technology Interdisciplinary Science and Engineering
Professional career (1)：
  • (BLANK) (Tokyo Institute of Technology)
Committee career (38)：
  • 2014 - 2014 第20回 ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- プログラム委員
  • 2014 - 2014 2014年国際固体素子・材料コンファレンス 委員
  • 2014 - 2014 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014) Member of Program Committee
  • 2014 - 2014 20th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterization Member of Program Committee
  • 2013 - 2013 2013 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES SCIENCE AND TECHNOLOGY Member of Program Committee
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Association Membership(s) (33)：
第17回 ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- ,  2013 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES SCIENCE AND TECHNOLOGY ,  Materials Research Society ,  2013年国際固体素子・材料コンファレンス ,  応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 ,  第16回 ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- ,  2011年国際固体素子・材料コンファレンス ,  応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 ,  日本表面科学会 ,  第20回 ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- ,  The Electrochemical Society ,  2014年国際固体素子・材料コンファレンス ,  (社)応用物理学会 ,  2011 International Workshop on IWDTF-11 DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES SCIENCE AND TECHNOLOGY ,  2012年国際固体素子・材料コンファレンス ,  応用物理学会 ,  第19回 ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- ,  第18回 ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- ,  19th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials ,  18th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials ,  16th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials ,  17th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials ,  2011 International Workshop on IWDTF-11 DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES SCIENCE AND TECHNOLOGY ,  2013 International Workshop on IWDTF-2013 DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES SCIENCE AND TECHNOLOGY ,  2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011) ,  Thin Film and Surface Physics Division ,  2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014) ,  The Surface Science Society of Japan ,  2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012) ,  2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013) ,  The Japan Society of Applied Physics ,  Fablication Processes and Characterization ,  20th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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