Rchr
J-GLOBAL ID：200901039224610523   Update date: Jan. 15, 2025

Asano Tanemasa

アサノ タネマサ | Asano Tanemasa
Affiliation and department：
Kyushu University

About Kyushu University


Homepage URL  (1)： http://fed.ed.kyushu-u.ac.jp/
Research field  (5)： Electronic devices and equipment ,  Electric/electronic material engineering ,  Thin-film surfaces and interfaces ,  Nano/micro-systems ,  Nanomaterials
Research keywords  (19)： 三次元実装 ,  インターコネクト ,  MEMS ,  LTPS ,  TFT ,  薄膜トランジスタ ,  三次元LSI ,  微細加工 ,  LSI ,  シリコン ,  半導体デバイス ,  Thin Film ,  inkjet ,  MEMS ,  TFT ,  jisso ,  3D integration ,  LSI ,  silicon
Research theme for competitive and other funds  (8)：
  • 2009 - 2013 形態機能性マイクロ接合によるナノデバイス/CMOS融合型三次元集積回路の創生
  • 2007 - 2011 異種機能集積システムLSIを牽引するマイクロ接合技術の研究開発
  • 2009 - 2010 ナノインクジェット技術による有機半導体単結晶薄膜のポジショニング成長
  • 薄膜トランジスタ(TFT)を用いた高性能回路に関する研究
  • 3D-LSI System Technology
Show all
Papers (126)：
  • Ryo Takigawa, Takashi Matsumae, Michitaka Yamamoto, Eiji Higurashi, Tanemasa Asano, Haruichi Kanaya. Demonstration of GaN/LiNbO3 Hybrid Wafer Using Room-Temperature Surface Activated Bonding. ECS Journal of Solid State Science and Technology. 2020. 9. 4
  • Takigawa Ryo, Higurashi Eiji, Asano Tanemasa. Ultrathin adhesive layer between LiNbO3 and SiO2 for bonded LNOI waveguide applications. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2019. 58
  • Kaname Imokawa, Toshifumi Kikuchi, Kento Okamoto, Daisuke Nakamura, Akihiro Ikeda, Tanemasa Asano, Hiroshi Ikenoue. High-Concentration, Low-Temperature, and Low-Cost Excimer Laser Doping for 4H-SiC Power Device Fabrication. Materials Science Forum. 2019. 963. 403-406
  • Kento Okamoto, Toshifumi Kikuchi, Akihiro Ikeda, Hiroshi Ikenoue, Tanemasa Asano. Formation of low resistance contacts to p-type 4H-SiC using laser doping with an Al thin-film dopant source. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2019. 58
  • Ryo Takigawa, Toru Tomimatsu, Eiji Higurashi, Tanemasa Asano. Residual stress in lithium niobate film layer of LNOI/Si hybridwafer fabricated using low-temperature bonding method. Micromachines. 2019. 10. 2
ｍore...
MISC (88)：
  • 多喜川良, 日暮栄治, 日暮栄治, 浅野種正. 接合中間層がLNOI光導波路特性に及ぼす影響調査. エレクトロニクス実装学会講演大会講演論文集(CD-ROM). 2019. 33rd
  • 多喜川良, 日暮栄治, 日暮栄治, 浅野種正. イオンビーム活性化接合法によるSi上LNOI導波路の作製と光伝搬特性評価. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2018. 65th
  • 多喜川良, 日暮栄治, 日暮栄治, 浅野種正. 表面活性化と低温熱処理を併用したLiNbO3ウェハとSiO2/Siウェハの直接接合. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2017. 78th
  • Xun Yi, Gou Nakagawa, Hiroaki Ozawa, Tsuyohiko Fujigaya, Naotoshi Nakashima, Tanemasa Asano. Ion Beam Bombardment Effect on Contacts in Solution-Processed Single-Walled Carbon Nanotube Thin Film Transistor. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2011. 50. 9
  • Xun Yi, Hiroaki Ozawa, Gou Nakagawa, Tsuyohiko Fujigaya, Naotoshi Nakashima, Tanemasa Asano. Single-Walled Carbon Nanotube Thin Film Transistor Fabricated Using Solution Prepared with 9,9-Dioctyfluorenyl-2,7-diyl-Bipyridine Copolymer. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2011. 50. 7
ｍore...
Books (8)：
  • 薄膜工学
    丸善 2004
  • 電子デバイス工学
    森北出版 1990
  • 積層材料技術
    コロナ社 1989
  • 超微細加工入門
    オーム社 1989
  • Heteroepitaxy of semiconductor/fluoride/Si structures
    Heterostructures on Si : On Step Further with Si 1989
ｍore...
Professional career (1)：
  • (BLANK)
Committee career (1)：
  • 2006 - 2008 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究専門委員会委員長
Association Membership(s) (2)：
電子情報通信学会 ,  応用物理学会
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM