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J-GLOBAL ID：200901050248837794   Update date: Sep. 13, 2024

Yamada Yoichi

ヤマダ ヨウイチ | Yamada Yoichi
Affiliation and department：
Yamaguchi University Quantum Devices and Materials Engineering Graduate School of Science and Engineering Materials Science and Engineering(Engineering) Graduate School of Science and Engineering(Engineering) YAMAGUCHI UNIVERSITY

About Yamaguchi University Quantum Devices and Materials Engineering Graduate School of Science and Engineering Materials Science and Engineering(Engineering) Graduate School of Science and Engineering(Engineering) YAMAGUCHI UNIVERSITY


Job title： Professor
Research field  (2)： Electric/electronic material engineering ,  Semiconductors, optical and atomic physics
Research keywords  (5)： Optical properties ,  Excitonics ,  Low-dimensional quantum structures ,  Wide bandgap semiconductor ,  Laser spectroscopy
Research theme for competitive and other funds  (13)：
  • 2022 - 2025 窒化物半導体AlGaNの非極性面成長と深紫外LED応用
  • 2016 - 2021 Optical properties and functionalities of dense excitonic systems in singularity structures
  • 2016 - 2019 Elucidation of fundamental optical properties of biexcitons in deep ultraviolet ternary alloy quantum wells and application to laser operation
  • 2013 - 2016 Fabrication of semipolar {20-2-1} plane GaN substrate grown from the sidewall of patterned sapphire substrate
  • 2013 - 2016 Optical functionality of dense excitonic systems in nitride-based deep-ultraviolet ternary alloy semiconductors
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Papers (190)：
  • Narihito Okada, Ryota Hidaka, Taketo Kowaki, Takahiro Saito, Yoshihiro Sugawara, Daisaku Yokoe, Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Satoshi Kurai, Yoichi Yamada, et al. Fabrication of high-quality Al-polar and N-polar AlN templates through self-forming tiny-pit layers and polarity inversion. Journal of Applied Physics. 2024. 136. 2
  • Aina Hiyama Zazuli, Taketo Kowaki, Minagi Miyamoto, Koki Hanasaku, Daisuke Inahara, Kai Fujii, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Yoichi Yamada. Electrical Properties of N-Polar GaN/AlGaN/AlN Grown via Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy. physica status solidi (a). 2024
  • Taketo Kowaki, Koki Hanasaku, Minagi Miyamoto, Aina Hiyama Zazuli, Daisuke Inahara, Kai Fujii, Taisei Kimoto, Ryosuke Ninoki, Satoshi Kurai, Narihito Okada, et al. Effect of the Twist Crystallinity of N-Polar AlN Underlayer on the Electrical Properties of GaN/AlN Structures. physica status solidi (a). 2024
  • Kosuke Inai, Ryota Oshimura, Kunio Himeno, Megumi Fujii, Yuta Onishi, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Kenjiro Uesugi, Hideto Miyake, Yoichi Yamada. Well Number Dependence of Internal Quantum Efficiency in AlGaN Quantum Wells on Low-Dislocation Sputtered AlN Templates. physica status solidi (b). 2024
  • Hideaki Murotani, Kunio Himeno, Hayate Ohkawara, Kaichi Tani, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Noritoshi Maeda, Muhammad Ajmal Khan, Hideki Hirayama, Yoichi Yamada. Photoluminescence Excitation Spectroscopy of Stimulated Emission from AlGaN-Based Multiple Quantum Wells with an Emission Wavelength Around 280 nm. physica status solidi (b). 2024
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MISC (103)：
  • 山田陽一. AlGaN系量子井戸構造における励起子利得. 日本学術振興会光電相互変換第125委員会第262回研究会資料. 2022
  • MUROTANI Hideaki, YAMADA Yoichi, HIRAYAMA Hideki. Excitonic optical properties of deep-UV luminescent AlGaN. Oyo Buturi. 2022. 91. 7. 416-420
  • 中生拓希, 姫野邦夫, 武田椋平, 室谷英彰, 倉井聡, 岡田成仁, KHAN M. Ajmal, 前田哲利, 定昌史, 平山秀樹, et al. Analysis of luminescence efficiency curve at high excitation condition in deep UV AlGaN quantum well structure. 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集. 2021. 2021
  • 押村遼太, 稲井滉介, 草場崇史, 藤井厚志, 倉井聡, 岡田成仁, 室谷英彰, 上杉謙次郎, 三宅秀人, 山田陽一. Internal quantum efficiency of AlGaN quantum wells on various AlN templates. 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集. 2021. 2021
  • 中津留圭悟, 南里翼, 倉井聡, 岡田成仁, 只友一行, 室谷英彰, 矢野良樹, 小関修一, 松本功, 山田陽一. Excitation wavelength dependence of internal quantum efficiency in green InGaN-based quantum well structures. 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集. 2021. 2021
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Patents (1)：
  • 半導体発光素子の内部量子効率を測定する装置及びその方法
Books (6)：
  • 半導体工学(第3版)
    森北出版株式会社 2013
  • 白色LED照明技術のすべて
    株式会社 工業調査会 2009
  • Wide Bandgap Semiconductors - Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic Devices
    Springer-Verlag GmbH 2007 ISBN:3540472347
  • ワイドギャップ半導体光・電子デバイス
    森北出版株式会社 2006 ISBN:4627773218
  • 白色LED照明システム技術の応用と将来展望
    株式会社 シーエムシー出版 2003 ISBN:4882314037
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Lectures and oral presentations  (695)：
  • N極性GaN/AlGaN/AlN高電子移動度トランジスタのリーク電流が絶縁破壊電圧に及ぼす影響
    (第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024)
  • 内部量子効率の異なるAlGaN量子井戸構造におけるキャリア実効拡散長の照射電流依存性
    (第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024)
  • UV-C帯AlGaN量子井戸構造における内部量子効率の温度依存性
    (2024年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 2024)
  • 発光波長が異なるUV-C発光帯AlGaN量子井戸構造における偏光特性の温度依存性
    (2024年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 2024)
  • μ-LEDのマスク構造の設計と作製
    (2024年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 2024)
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Education (3)：
  • 1990 - 1993 University of Tsukuba Graduate School of Physics Department of Physics
  • 1988 - 1990 Osaka University Graduate School of Engineering Department of Electrical Engineering
  • 1984 - 1988 Osaka University Faculty of Engineering Department of Electrical Engineering
Professional career (2)：
  • Doctor (Science)
  • Master of Engineering
Work history (14)：
  • 2022/04 - 現在 山口大学 大学院創成科学研究科長
  • 2022/04 - 現在 山口大学 工学部長
  • 2016/04 - 現在 Yamaguchi University Graduate School of Sciences and Technology for Innovation Professor
  • 2018/04 - 2020/03 山口大学工学部附属工学教育研究センター センター長
  • 2018/04 - 2020/03 山口大学教育研究評議会 評議員
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Committee career (23)：
  • 2024 - 現在 International Workshop on Nitride Semiconductors 2024 (IWN2024) プログラム委員会委員
  • 2022/02 - 現在 応用物理学会 代議員
  • 2021/04 - 現在 ワイドギャップ半導体学会 学界委員
  • 2012/04 - 現在 応用物理学会中国四国支部 幹事
  • 2009/04 - 2024/03 日本学術振興会 光電相互変換第125委員会 委員
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Awards (3)：
  • 2014/06 - 宇部興産学術振興財団 第54回学術奨励賞
  • 1999/08 - ICL'99 Young Researcher Award
  • 1993/05 - 社団法人 電気学会 第49回電気学術振興賞論文賞
Association Membership(s) (2)：
The Japan Society of Applied Physics ,  The Physical Society of Japan
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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