Nishimatsu Takeshi

ニシマツタケシ | Nishimatsu Takeshi

Homepage URL (1)： http://db.tohoku.ac.jp/whois/detail/8bcdcc4f7688303968b8ca64e032405e.html

Research field (2)： Electric/electronic material engineering , Semiconductors, optical and atomic physics

Research keywords (11)：強誘電体 , 第一原理計算 , 欠陥 , 不純物 , 半導体 , ferroelectrics , first-principles , ab initio , defect , impurity , semiconductor

Research theme for competitive and other funds (6)：

2002 - 2002 第一原理計算による強誘電体の研究
2002 - 2002 Theoretical sutdy of ferroelectrics from the first-prinsiples calculations
1997 - 1997 ダイヤモンド中の水素を含む複合体の第一原理計算による研究
1997 - 1997 半導体の格子欠陥
1997 - 1997 Theoretical Study of Hydrogen-Related Complexes in Diamond

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MISC (68)：

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Lectures and oral presentations (34)：

電荷のランダムネスを取り入れたリラクサーの分子動力学シミュレーション
(日本物理学会第71回年次大会 2016)
電荷のランダムネスを取り入れたリラクサーの分子動力学シミュレーション
(日本物理学会第71回年次大会 2016)
強誘電体の熱伝導の分子動力学シミュレーション
(日本物理学会第70回年次大会 2015)
強誘電体薄膜キャパシタのヒステリシスループの温度・膜厚・電極依存性
(日本物理学会 2015年秋季大会 2015)
強誘電体薄膜キャパシタの分子動力学シミュレーション
(第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015)

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Education (2)：

Work history (1)：

Tohoku University Institute for Materials Research, Materials Design by Computer Simulation Assistant Professor

Committee career (2)：

Association Membership(s) (2)：

日本物理学会 , 日本物理学会

※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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