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J-GLOBAL ID：200901072730849965   Update date: Nov. 20, 2024

Takahashi Yasuo

タカハシ ヤスオ | Takahashi Yasuo
Affiliation and department：
Hokkaido University Graduate School of Information Science and Technology, Division of Electronics for Informatics, Advanced Electronics

About Hokkaido University Graduate School of Information Science and Technology, Division of Electronics for Informatics, Advanced Electronics


Homepage URL  (2)： http://www.ist.hokudai.ac.jp/labo/nano-mat/ ,  http://www.nano.eng.hokudai.ac.jp/~bukkou/index.html
Research field  (7)： Metallic materials ,  Sensitivity (kansei) informatics ,  Soft computing ,  Semiconductors, optical and atomic physics ,  Nano/micro-systems ,  Nanomaterials ,  Electronic devices and equipment
Research keywords  (39)： 電子デバイス・機器 ,  少数電子素子 ,  量子ドット ,  フレキシブル論理ゲート ,  省エネルギー ,  揺らぎ許容デバイス ,  先端機能デバイス ,  単電子転送 ,  ナノ材料 ,  集積化デバイス ,  シリコン ,  その場計測 ,  磁気抵抗効果 ,  電子顕微鏡 ,  単電子デバイス ,  ドナー ,  CMOSデバイス ,  電荷 ,  半導体 ,  ナノ物性 ,  ナノディスクアレイ構造 ,  その場観察 ,  トンネル接合 ,  アクセプタ ,  ゆらぎ ,  単電子トンネル伝導 ,  マイクロナノデバイス ,  少数電子デバイス ,  単一電子 ,  単電子伝導 ,  物性 * ,  マイクロ・ナノデバイス・電子機器 ,  電子デバイス・電子機器 ,  Atomic layer epitaxy ,  Metal silicide ,  Silicon MOS devices ,  Single electronics ,  Mesoscopic devices ,  Nanoscience
Research theme for competitive and other funds  (17)：
  • 2019 - 2022 Proposal of high-performance materials for artificial synapses via atomic-scale observations of resistive switching oxides
  • 2016 - 2019 Study on ReRAM circuit operation using in-situ TEM for development of artificial neurons
  • 2015 - 2019 A study of nanostructure memory devices and their integrated circuits toward massively parallel analog brain-like LSI
  • 2014 - 2016 Development of a new resistive memory controlled by a sidegate
  • 2013 - 2016 Investigation on Switching Mechanism of Resistive RAM using in-situ TEM-STM
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Papers (339)：
  • Takayuki Gyakushi, Ikuma Amano, Ryota Tanizawa, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Masashi Arita, Yasuo Takahashi. Characteristics of the single-electron conduction properties of randomly distributed metal nanodot arrays. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 2. 025001-025001
  • Keiji Tsubaki, Masashi Arita, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Yasuo Takahashi. Significant effects of epitaxial strain on the nonlinear transport properties in Ca2RuO4 thin films with the current-driven transition. Japanese Journal of Applied Physics. 2023
  • Keiji Tsubaki, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Masashi Arita, Yasuo Takahashi. Dynamics of an Electrically Driven Phase Transition in Ca2RuO4 Thin Films: Nonequilibrium High-Speed Resistive Switching in the Absence of an Abrupt Thermal Transition. Advanced Electronic Materials. 2023
  • Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Takayoshi Katase, Hiromichi Ohta, Masashi Arita, Yasuo Takahashi. Direct Imaging of Ion Migration in Amorphous Oxide Electronic Synapses with Intrinsic Analog Switching Characteristics. ACS Applied Materials & Interfaces. 2023. 15. 13. 16842-16852
  • Takayuki Gyakushi, Ikuma Amano, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Masashi Arita, Yasuo Takahashi. Double gate operation of metal nanodot array based single electron device. Scientific Reports. 2022. 12. 1
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MISC (102)：
  • 高橋庸夫, 寒川誠二, 有田正志, 大野武雄, 福地厚, 遠藤和彦, 李遠霖, 瘧師貴幸. Research of Application of Highly Functional Nano Devices Fabricated by Using Nanostructures. 東北大学流体科学研究所共同利用・共同研究拠点流体科学国際研究教育拠点活動報告書. 2021. 2019 (CD-ROM)
  • 谷澤涼太, 天野郁馬, 瘧師貴幸, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫. Comparison of Transport Characteristics of Nanodot Arrays Formed on Two Different SiO2 Underlayers. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
  • 谷澤涼太, 天野郁馬, 瘧師貴幸, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫. Dependence of Transport Characteristics of Fe Nanodot Array on Underlayer Surfaces. 応用物理学会北海道支部/日本光学会北海道支部合同学術講演会講演予稿集. 2021. 56th-17th (CD-ROM)
  • 瘧師貴幸, 浅井佑基, BYUN Beommo, 天野郁馬, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫. Fabrication and Evaluation of Single-Electron Devices Formed by Single-Layered Fe Nanodot Array. 電子情報通信学会技術研究報告(Web). 2021. 121. 44(ED2021 1-10)
  • 天野郁馬, 瘧師貴幸, 谷澤涼太, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫. Single electron conduction of Fe nanodot array fabricated on SiO2 surfaces prepared by thermal oxidation and sputter deposition. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 82nd
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Patents (6)：
  • 抵抗変化型メモリ
  • 単電子ターンスタイルデバイスおよびその製造方法
  • 受光装置
  • 抵抗変化型メモリとその製造方法
  • 抵抗変化型メモリとその制御方法及び製造方法
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Books (8)：
  • 量子ドットエレクトロニクスの最前線
    NTS 2011
  • ナノシリコンの最新技術と応用展開(Developing Nanosilicon Technology and Device Applications)
    シーエムシー出版 2010
  • Developing Nanosilicon Technology and Device Applications
    2010
  • 自己組織化ハンドブック
    (株)エヌ・ティー・エス 2009
  • Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures
    Springer 2009
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Lectures and oral presentations  (398)：
  • Shape change dynamics of Cu filament in double layer CBRAM
    (30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2018) 2018)
  • Double-gate single-electron transistor characteristics of single-layer Fe-MgF2 granular films
    (30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2018) 2018)
  • Analog memory devices for time-domain weighted-sum calculation circuits
    (Fifteenth International Conference on Flow Dynamics (ICFD 2018) 2018)
  • Multilevel memory characteristics of Ta/Ta2O5-δ ReRAM for the Application of Neural Network
    (Fifteenth International Conference on Flow Dynamics (ICFD 2018) 2018)
  • Enhanced defect formation at metal/oxide interfaces and its application to resistive memory devices
    (7th International Symposium on Transparent Conductive Materials and the 5th E-MRS & MRS-J Bilateral Symposium on Advanced Oxides (TCM-2018) 2018)
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Education (4)：
  • - 1982 Tohoku University
  • - 1982 Tohoku University Graduate School, Division of Engineering
  • - 1977 Tohoku University Faculty of Engineering
  • - 1977 Tohoku University
Professional career (1)：
  • Ph. D, 1982 (Tohoku University)
Work history (15)：
  • 2012 - 北海道大学 大学院・情報科学研究科 教授
  • 2002 - 2004 物性科学基礎研究所 先端デバイス研究部 部長
  • 2002 - 2004 Dean,Device Physics Lab., NTT Basic Research Labs.
  • 1999 - 2004 NTT 物性科学基礎研究所 SIナノデバイス研究グループリーダー
  • 1999 - 2004 Group Leader, Silicon Nanodevice Research Group,NTT Basic Research Labs.
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Committee career (16)：
  • 2013/12 - 現在 Silicon Nanoelectronics Workshop General Chair
  • 2013/04 - 現在 IEEE International Nanoelectronics Conference (INEC)-2014 Organizing Committee Chair
  • 2013/03 - 現在 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 幹事長
  • 2012/04 - 現在 日本工学教育協会 学教育賞選考委員会委員
  • 2010/04 - 現在 北海道工学教育協会 理事
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Awards (9)：
  • 2014/04 - The Japan Society of Applied Phisics APEX/JJAP Editorial Contribution Award APEX/JJAP Editorial Contribution Award
  • 2009/09 - 応用物理学会 応用物理学会フェロー フェロー
  • 2006/09 - 応用物理学会 第28回応用物理学会論文賞(JJAP論文賞)
  • 2005 - IEEE Computer Society 35th ISMVL Outstanding Contributed Paper Award
  • 2003 - 応用物理学会論文賞(JJAP 論文賞)
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Association Membership(s) (6)：
電気学会 ,  IEEE (米国電気電子学会) ,  応用物理学会 ,  電子情報通信学会 ,  IEEE ,  The Institute of Electronics Information and Comunication Engineers
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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