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J-GLOBAL ID：200901076003379650
Update date: Jun. 28, 2024
Fujiwara Kozo
フジワラ コウゾウ | Fujiwara Kozo
Affiliation and department：
Job title：
Professor
Homepage URL (2)：
http://www.imr.tohoku.ac.jp/ja/about/divisions-and-centers/research-division/02.html
,
http://www.imr.tohoku.ac.jp/en/about/divisions-and-centers/research-division/02.html
Research field (2)：
Metallic materials
, Semiconductors, optical and atomic physics
Research keywords (1)：
melt growth. In situ observation. silicon. solar cell. control of crystalographic orientation. grain boundary. semiconductor alloys. compound semiconductor
Research theme for competitive and other funds (21)：
- 2024 - 2028 フォトン・カウンティング機能による顎骨の多元分析を可能とした歯科用CTの開発
- 2021 - 2025 その場観察法による各種半導体材料の固液界面不安定化現象の解明と高温物性値の決定
- 2020 - 2024 フォトン・カウンティング機能を搭載した新しい組織分析型歯科用CTの開発
- 2017 - 2020 Study on crystal growth dynamics at crystal/melt interface by in situ observation technique
- 2016 - 2018 Study on melt growth mechanisms of multicrystalline silicon by in situ observations(Fostering Joint International Research)
- 2014 - 2017 Study of melt growth mechanisms of multicrystalline Si by in situ observations
- 2009 - 2011 ファセットデンドライト成長を利用した高品質薄板多結晶シリコンの成長技術の開発
- 2010 - 2010 電場印加による結晶成長界面の形状制御法の確立と薄板結晶Siの成長技術への応用
- 2008 - 2010 Investigation of crystal growth mechanisms of Si crystals floating on Si melt and development of crystal growth technique to realize high-quality Si multicrystals
- 2006 - 2007 方位・粒界・粒サイズを制御した太陽電池用バルク多結晶シリコンの成長技術の確立
- 2005 - 2007 Growth of bulk langasite crystal via manipulating the solid-liquid equilibrium phase relationship under an external electric field
- 2006 - 2006 ゲルマニウム結晶ウェハーの高温加圧加工によるX線用モノクロメーター結晶の研究
- 2005 - 2006 デンドライト成長を利用した完全配向半導体バルク多結晶の成長技術の開発
- 2006 - Growth mechanism of Si faceted dendrite
- 2005 - 2005 高温加圧法によるシリコン結晶ウェハーの変形加工と形状制御限界の研究
- 2004 - 2005 多結晶シリコンの組織形成機構の解明および太陽電池用完全配向型多結晶シリコンの作製
- 2004 - Growth of High Quality Polycrystalline Silicon for Solar Cells
- 2001 - 2002 その場観察法による過冷却度の制御および過冷却シリコン融液からの結晶成長機構の解明
- 2001 - 2002 過冷炉度を制御した融液成長法による太陽電池用Si多結晶の大粒径化と高効率化
- 2001 - Structure control of silicon-germanium alloy
- 2000 - Investigations of melt growth behavior of polycrystalline silicon
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Papers (211)：
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Shashank Shekhar Mishra, Lu Chung Chuang, Jun Nozawa, Kensaku Maeda, Haruhiko Morito, Kozo Fujiwara, Thierry Duffar. Vicinal (111) surfaces at Si solid-liquid interface during unidirectional solidification. Scripta Materialia. 2024. 247
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Shashank Shekhar Mishra, Lu Chung Chuang, Kensaku Maeda, Jun Nozawa, Haruhiko Morito, Thierry Duffar, Kozo Fujiwara. In situ study of growth kinetics of {1 0 0} and {1 1 0} crystal/melt interfaces during unidirectional solidification of silicon. Journal of Crystal Growth. 2023. 627
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Ferrimagnetic half Heusler alloys for waste heat recovery application- First principle study using different exchange-correlation functionals. 2023
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Visualizing crystal twin boundaries of bismuth by high-spatial-resolution ARPES. 2023
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Keisuke Fukuda, Satoru Miyamoto, Masahiro Nakahara, Shota Suzuki, Marwan Dhamrin, Kensaku Maeda, Kozo Fujiwara, Yukiharu Uraoka, Noritaka Usami. Epitaxial growth of SiGe films by annealing Al-Ge alloyed pastes on Si substrate. Scientific Reports. 2022. 12. 1
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MISC (60)：
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藤原 航三, 森戸 春彦, 前田 健作, 志賀 敬次. 研究室紹介:液相成長ダイナミクスの総合理解と高機能結晶創製への挑戦. Crystal letters = 結晶工学ニュース / 応用物理学会結晶工学分科会 編. 2021. 76. 50-55
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Chihiro Koyama, Jun Nozawa, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda. Configuration of point defects of impurity-doped congruent lithium niobate. Journal of the Japanese Association for Crystal Growth. 2016. 43. 3. 131-138
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Jun Nozawa, Sumeng Hu, Haruhiko Koizumi, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda. Impurity Partitioning during Colloidal Crystallization. Journal of the Japanese Association for Crystal Growth. 2016. 43. 2. 88-96
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The 45th National Conference on Crystal Growth (NCCG-45)(News of JACG). Journal of the Japanese Association of Crystal Growth. 2016. 42. 4. 299-304
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佐藤 元, 藤原 航三, 樋口 幹雄, 太子 敏則, 片山 竜二, 山中 淳平, 鈴木 良尚, 小泉 晴比古, 三浦 均, 野澤 純, et al. The 45th National Conference on Crystal Growth (NCCG-45)(News of JACG). Journal of the Japanese Association for Crystal Growth. 2016. 42. 4. 299-304
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Patents (10)：
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大口径CZ単結晶および成長装置とその成長方法
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Si結晶およびその製造方法
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半導体バルク多結晶の作製方法
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結晶成長方法、バルク単結晶成長用バルク予備結晶、及びバルク単結晶成長用バルク予備結晶の作製方法
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バルク多結晶材料の製造方法
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Books (3)：
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Handbook of Crystal Growth, Second Edition, Vol. I
2014
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太陽電池の基礎と応用
培風館 2010
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Crystal Growth of Si for Solar Cells
Springer 2009
Lectures and oral presentations (25)：
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Instability of crystal/melt interface of Si and Si1-xGex
(3rd International Symporium on "Modeling of Crystal Growth Processes and Devices" (MCGPD-2023) 2023)
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In-situ observation of crystal/melt interface morphology during directional solidification of semicondustor materials
(5th International Workshop on Advanced Functional Nanomaterials (IWAN-5, 2023) 2023)
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In-situ observations of crystal growth behaviors of silicon during solidification
(2022 international conferences on the science and technology of devices and materials(SSDM2022) 2022)
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Morphology of Crystals in Melt Growth Processes
(The 4th Symposium for The Core Research Cluster for Materials Science andthe 3rd Symposium on International Joint Graduate Program in Materials Science 2020)
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Siの固液界面現象に及ぼす結晶粒界の影響
(応用物理学会秋季学術講演会 2020)
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Professional career (1)：
- 博士(工学) (Kyushu University)
Committee career (3)：
- 2021/04 - 現在 日本学術振興会 R032 産業イノベーションのための結晶成長委員会 運営委員
- 2010/04 - 現在 日本結晶成長学会 理事
- 2010/04 - 現在 日本結晶成長学会 理事
Awards (6)：
Association Membership(s) (3)：
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