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J-GLOBAL ID:200901091750431201   Update date: May. 15, 2025

YANO Hiroshi

ヤノ ヒロシ | YANO Hiroshi
Affiliation and department:
Job title: Associate Professor
Papers (179):
  • 子安, 葵, 新郷, 諒介, 岩室憲幸, 矢野, 裕司. SiC MOSFETにおけるAC-BTIの窒化時間依存性. 第72回応用物理学会春季学術講演会 予稿集. 2025. 11-146
  • 横山, 義希, 堀内, 颯介, 福永, 博生, 島袋, 聞多, 矢野, 裕司, 染谷, 満, 平井, 悠久, 渡部, 平司, 梅田, 享英. 時間分解スピン依存チャージポンピング分光の開発と4H-SiC MOSFETsへの適用. 第72回応用物理学会春季学術講演会 予稿集. 2025. 11-154
  • 鹿志村快音, 鈴木一広, 矢野裕司, 岩室, 憲幸. 低直流電圧印加 時 における SiC MOSFET 負荷短絡破壊メカニズムの解析. 2025年第72回応用物理学会春季学術講演会 予稿集. 2025. 11-147
  • 阿部洸太, 矢野裕司, 岩室, 憲幸. SiC SBD高温・高湿バイアス試験後の 周辺耐圧領域解析. 令和7年電気学会全国大会 講演論文集. 2025. 4. 90. 143-144
  • Suzuki, Kazuhiro, Yano, Hiroshi, Iwamuro, Noriyuki. A study on turn-off, and on-resistance and short-circuit capability trade-off characteristics in 1.2 kV SiC MOSFETs. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2024. 63. 12
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Patents (1):
  • •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
Books (2):
  • 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開
    シーエムシー出版 2021 ISBN:9784781316130
  • Compound Semiconductor
    Angel Business Communications publication 2017
Lectures and oral presentations  (181):
  • SiC SBD高温・高湿バイアス試験後の 周辺耐圧領域解析
    (令和7年電気学会全国大会)
  • SiC MOSFETにおけるAC-BTIの窒化時間依存性
    (第72回応用物理学会春季学術講演会)
  • 時間分解スピン依存チャージポンピング分光の開発と4H-SiC MOSFETsへの適用
    (第72回応用物理学会春季学術講演会)
  • 低直流電圧印加 時 における SiC MOSFET 負荷短絡破壊メカニズムの解析
    (2025年第72回応用物理学会春季学術講演会)
  • SiC MOSFETのしきい値変動メカニズム:バイポーラAC ゲートストレスによる光援用電子注入
    (SiC/GaNパワー半導体のガイドラインセミナー)
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Committee career (40):
  • 2023/04 - 現在 SiCアライアンス 技術・普及WG/グループリーダー
  • 2022/10 - 現在 SSDM 2023 Program Committee/JJAP Special Issues Editors
  • 2022/10 - 現在 ICSCRM 2023 Technical Program Committee/Member
  • 2022/09 - 現在 ICSCRM International Steering Committee/Member
  • 2022/01 - 現在 SSDM 2022 Program Committee/JJAP Special Issues Editors
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※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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