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J-GLOBAL ID：200901094683699864   Update date: Sep. 19, 2024

Maeda Yoshihito

マエダ ヨシヒト | Maeda Yoshihito
Homepage URL  (1)： http://www004.upp.so-net.ne.jp/silicide/index.htm
Research field  (4)： Electric/electronic material engineering ,  Crystal engineering ,  Applied materials ,  Semiconductors, optical and atomic physics
Research keywords  (6)： 薄膜物性 ,  電子材料物性 ,  光物性 ,  半導体物性 ,  Electronic Material Science ,  Optical Properties of Semiconductors
Research theme for competitive and other funds  (8)：
  • 2005 - シリサイド・スピントロニクス材料の創製
  • イオンビーム合成法による新半導体の作製
  • シリサイド環境半導体のフォトニクス
  • 半導体ナノ結晶の光物性,ナノオプトエレクトロニクス
  • Development of Silicide Semiconductor Devices
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MISC (191)：
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Patents (8)：
  • 情報処理装置
  • 薄膜作製方法およびその装置:Film formation method and appratus
  • 光記録メモリ媒体,情報記録再生装置:Optical recording media and information recording and reproducing units
  • 光情報記録媒体およびその用途
  • 光ディスクおよび情報記録方法
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Books (6)：
  • 「薄膜ハンドブック」(第2版),日本学術振興会薄膜第131委員会編 4.24化合物半導体薄膜(V)Fe-Si薄膜の項執筆
    オーム社 2008
  • シリサイド環境調和型半導体技術の最新動向
    SIPECセミナーテキスト(リアライズ理工学センター) 2005
  • Infrared-Photovoltaic Respouses of Iou-Beam Synthesizedβ-FeSi<sub>2</sub>/n-Si Heterojunctions
    Materials Research Society Symposium Proceedings 2000
  • Ion-beam Synthesized semiconducting β-FeSi<sub>2</sub> controlled by annealing precedures and phase-transitions
    Materials Research Society Symposium Proceedings 1998
  • 日本熱測定学会編:熱分析の基礎と応用 第3版-超伝導からバイオまで,その多彩な展開
    リアライズ社 1994
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Lectures and oral presentations  (182)：
  • Formation of Fe3Si/Ge/Fe3Si multi-layer by double heteroepitaxy on high quality Fe3Si/Ge substrate for spintronic application
    (212th Electrochemical Society (ECS) Meeting 2007)
  • Effect of Fe/Si ratio on epitaxial growth of Fe3Si on Ge substrate
    (212th Electrochemical Society (ECS) Meeting 2007)
  • Invited talk, Low-temperature epitaxial growth of [Fe3Si/SiGe]n(n=1-2) multi-layered structures for spintronic application
    (212th Electrochemical Society (ECS) Meeting 2007)
  • Low temperature formation of multi-layered structures of ferromagnetic silicide Fe3Si and Ge
    (Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interface (ISCSI-V) 2007)
  • Diffusion behavior in Fe3Si/Ge hybrid structures and related degradation of axial orientation
    (Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interface (ISCSI-V) 2007)
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Works (3)：
  • 強誘電体薄膜メモリーの結晶成長
    2003 - 2006
  • イオンビーム合成法によるシリサイド半導体の創製と応用 (イオン工学研究所-日立製作所)
    1996 - 2001
  • 生体ナノ構造の光量子プロセスの研究 (東京工業大学応用セラミックス研究所)
    1997 - 1998
Education (4)：
  • - 1984 Kyoto University
  • - 1984 Kyoto University Graduate School, Division of Engineering
  • - 1982 Kyoto University Faculty of Engineering
  • - 1982 Kyoto University Faculty of Engineering
Professional career (1)：
  • Doctor of Engineering (The University of Tokyo)
Work history (1)：
  • Kyoto University Graduate School of Energy Science, Department of Energy Science and Technology Associate Professor
Committee career (4)：
  • 2000 - 2002 Committee Chair (2000-2002), Professional group on Semiconducting Silicides and Related Materials, Japan Society of Applied Physics (JSAP
  • 日本学術振興会第151委員会・委員
  • 応用物理学会・シリサイド系半導体と関連物質研究会・委員長(H12-H15)
  • Member, The 151 committee, Jpan Society of Promotion of Science (JSPS)
Association Membership(s) (8)：
米国MRS ,  日本金属学会 ,  日本物理学会 ,  応用物理学会 ,  Materials Research Soc. ,  Japan Institute of Metals ,  Japan Soc. of Physics ,  Japan Soc. of Applied Physics
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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