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J-GLOBAL ID：200902000584269822   Reference number：88A0592329

Novel polymeric dissolution inhibitor for the design of sensitive, dry etch resistant, base-developable resist.

高感度,耐ドライエッチ性の塩基現像レジストの設計のための新しいポリマ溶解抑制剤

Author (3)： ITO H (IBM Research Division, CA, USA) ,  FLORES E (IBM Research Division, CA, USA) ,  RENALDO A F (IBM Research Division, CA, USA)
Material： Journal of the Electrochemical Society  (J Electrochem Soc)
Volume： 135  Issue： 9  Page： 2328-2333  Publication year： Sep. 1988 
JST Material Number： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： photoresist ,...
Semi thesaurus term： phthalaldehyde ,...

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JST classification (1)： Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (9)： 高感度 ,  エッチ性 ,  塩基 ,  現像 ,  レジスト ,  設計 ,  ポリマ ,  溶解 ,  抑制剤