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J-GLOBAL ID：200902000638790388   Reference number：92A0332100

Investigation of pseudomorphic InGaAs HEMT interfaces.

シュードモルフィックInGaAsHEMT界面の研究

Author (6)： MOTTET S (Centre National d’Etudes des T<span style=text-decoration:overline>e ́</span>l<span style=text-decoration:overline>e ́</span>communications, Lannion, FRA) ,  AUDREN P (Inst. Universitaire de Technologie, lannion, FRA) ,  DUMAS J M (Centre National d’Etudes des T<span style=text-decoration:overline>e ́</span>l<span style=text-decoration:overline>e ́</span>communications, Lannion, FRA) ,  VUCHENER C (Centre National d’Etudes des T<span style=text-decoration:overline>e ́</span>l<span style=text-decoration:overline>e ́</span>communications, Lannion, FRA) ,  PAUGAM J (Centre National d’Etudes des T<span style=text-decoration:overline>e ́</span>l<span style=text-decoration:overline>e ́</span>communications, Lannion, FRA) ,  FAVENNEC M P (Inst. Universitaire de Technologie, lannion, FRA)
Material： Institute of Physics Conference Series  (Inst Phys Conf Ser)
Issue： 120  Page： 155-160  Publication year： 1992 
JST Material Number： E0403B  ISSN： 0305-2346  CODEN： IPHSAC  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...

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JST classification (2)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (2)： 界面 ,  研究