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J-GLOBAL ID：200902001110681001   Reference number：87A0156679

Strong 8.2μm infrared intersubband absorption in doped GaAs/AlAs quantum well waveguides.

ドープしたGaAs/AlAs量子井戸導波路における強い8.2μm赤外サブバンド間吸収

Author (7)： LEVINE B F (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  MALIK R J (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  WALKER J (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  CHOI K K (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  BETHEA C G (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  KLEINMAN D A (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  VANDENBERG J M (AT&T Bell Lab., NJ, USA)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 50  Issue： 5  Page： 273-275  Publication year： Feb. 02, 1987 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...

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JST classification (2)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  Optical waveguide,optical fibers,and fiber optics  (BD06030H)

Terms in the title (7)： ドープ ,  GaAs ,  AlAs ,  量子井戸 ,  導波路 ,  赤外 ,  サブバンド間吸収