Art

J-GLOBAL ID：200902001546753105   Reference number：81A0052234

Anodization of GaAs and Si in oxygen plasma and its application to the fabrication of devices and integrated circuits.

酸素プラズマ中でのGaAsとSiの陽極酸化とデバイスと集積回路の製作への応用

Author (5)： SUGANO T ,  KOSHIGA F ,  YAMASAKI K ,  HO Q Vu ,  HIRAYAMA Y
Material： Journal of the Faculty of Engineering, University of Tokyo. Series B  (東京大学工学部紀要 B)
Volume： 35  Issue： 4  Page： 553-561  Publication year： Sep. 1980 
JST Material Number： F0350A  ISSN： 0563-7937  CODEN： JETBA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...
Semi thesaurus term： anodic oxidation

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=81A0052234&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0350A") }}

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (7)： 酸素プラズマ ,  GaAs ,  Si ,  陽極酸化 ,  集積回路 ,  製作 ,  応用