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J-GLOBAL ID：200902002029466488   Reference number：92A0650398

Conditions for the formation of a gallium-stabilized GaAs(100) surface during molecular beam epitaxy.

分子線エピタキシー中にGa安定化したGaAs(100)表面を形成するための諸条件

Author (5)： KARPOV S YU (A.F.Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, St.Petersburg) ,  KOVAL'CHUK YU V (A.F.Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, St.Petersburg) ,  DE LA CRUZ G (A.F.Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, St.Petersburg) ,  MYACHIN V E (A.F.Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, St.Petersburg) ,  POGOREL'SKII YU V (A.F.Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, St.Petersburg)
Material： Soviet Technical Physics Letters  (Pis'ma v Zhurnal Tekhnicheskoj Fiziki)
Volume： 17  Issue： 12  Page： 894-895  Publication year： Dec. 1991 
JST Material Number： H0665A  ISSN： 0360-120X  CODEN： STPLD2  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Terms in the title (4)： 分子線エピタキシー ,  Ga ,  安定化 ,  GaAs