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J-GLOBAL ID：200902002247370778   Reference number：90A0923315

Characterization and growth mechanisms of boron nitride films synthesized by ion-beam-assisted deposition.

イオンビーム援助堆積で合成した窒化ほう素の特性評価と成長機構

Author (4)： BURAT O (Univ. Paris-Sud, Orsay, FRA) ,  BOUCHIER D (Univ. Paris-Sud, Orsay, FRA) ,  STAMBOULI V (Univ. Paris-Sud, Orsay, FRA) ,  GAUTHERIN G (Univ. Paris-Sud, Orsay, FRA)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 68  Issue： 6  Page： 2780-2790  Publication year： Sep. 15, 1990 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： compound semiconductor ,...
Semi thesaurus term： イオンビーム援助蒸着 ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： イオンビーム ,  援助 ,  堆積 ,  窒化ほう素 ,  特性評価 ,  成長