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J-GLOBAL ID：200902003196404121   Reference number：88A0316790

Performance of dry-etched short cavity GaAs/AlGaAs multiquantum-well lasers.

ドライエッチ短共振器のGaAs/AlGaAs多重量子井戸レーザの性能

Author (5)： YUASA T (Optoelectronics Joint Research Lab., Kawasaki, JPN) ,  YAMADA T (Optoelectronics Joint Research Lab., Kawasaki, JPN) ,  ASAKAWA K (Optoelectronics Joint Research Lab., Kawasaki, JPN) ,  ISHII M (Optoelectronics Joint Research Lab., Kawasaki, JPN) ,  UCHIDA M (NEC Corp., Kawasaki, JPN)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 63  Issue： 5  Page： 1321-1327  Publication year： Mar. 01, 1988 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...

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JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Terms in the title (5)： エッチ ,  共振器 ,  GaAs ,  AlGaAs ,  多重量子井戸レーザ