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J-GLOBAL ID：200902004900498680   Reference number：91A0685875

Spin-dependent Shockley-Read recombination of electrons and holes in indirect-band-gap semiconductor p-n junction diodes.

間接バンドギャップ半導体のp-n接合ダイオードにおけるスピンに依存した電子と正孔のShockley-Read型再結合

Author (5)： RONG F C (U.S. Army Laboratory Command, Fort Monmouth, USA) ,  BUCHWALD W R (U.S. Army Laboratory Command, Fort Monmouth, USA) ,  POINDEXTER E H (U.S. Army Laboratory Command, Fort Monmouth, USA) ,  WARREN W L (U.S. Army Laboratory Command, Fort Monmouth, USA) ,  KEEBLE D J (Michigan Technological Univ., MI, USA)
Material： Solid-State Electronics  (Solid-State Electron)
Volume： 34  Issue： 8  Page： 835-841  Publication year： Aug. 1991 
JST Material Number： H0225A  ISSN： 0038-1101  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： PN junction ,...
Semi thesaurus term： forbidden band

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JST classification (1)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

Terms in the title (7)： 間接バンドギャップ ,  p-n接合 ,  ダイオード ,  スピン ,  電子 ,  正孔 ,  再結合