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J-GLOBAL ID：200902005669061939   Reference number：92A0283771

A stacked capacitor with (Ba_xSr_1-x)TiO₃ for 256M DRAM.

256M DRAM用(Ba_xSr_1-x)TiO₃を用いたスタックド・キャパシタ

Author (8)： KOYAMA K (NEC Corp., Sagamihara, JPN) ,  SAKUMA T (NEC Corp., Kawasaki, JPN) ,  YAMAMICHI S (NEC Corp., Kawasaki, JPN) ,  WATANABE H (NEC Corp., Sagamihara, JPN) ,  AOKI H (NEC Corp., Sagamihara, JPN) ,  OHYA S (NEC Corp., Sagamihara, JPN) ,  MIYASAKA Y (NEC Corp., Kawasaki, JPN) ,  KIKKAWA T (NEC Corp., Sagamihara, JPN)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 1991  Page： 823-826  Publication year： 1991 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： condenser (capacitor) ,...
Semi thesaurus term： Time-Dependent Dielectric Breakdown ,...

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JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (1)： DRAM