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J-GLOBAL ID：200902011084582844   Reference number：90A0283363

Effects of the implantation of oxygen, nitrogen, and carbon on the density of states of n-type hydrogenated amorphous silicon.

n型の水素化アモルファスシリコンの状態密度に対する酸素,窒素および炭素の注入効果

Author (2)： MICHELSON C E (Univ. Oregon, Oregon) ,  COHEN J D (Univ. Oregon, Oregon)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 41  Issue： 3  Page： 1529-1541  Publication year： Jan. 15, 1990 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： ion implantation ,...

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JST classification (2)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  Electronic structure of amorphous materials in general  (BM02041I)

Terms in the title (6)： 水素化アモルファスシリコン ,  状態密度 ,  酸素 ,  窒素 ,  炭素 ,  注入