Art

J-GLOBAL ID：200902012692437365   Reference number：92A0272898

Effects of Doposition Temperature on Strain in Polycrystalline SiC Films Deposited by Radio-Frequency Glow Discharge.

ラジオ周波数のグロー放電によって堆積させた多結晶SiC膜中のひずみに及ぼす堆積温度の効果

Author (4)： TAKESHITA T (Kanazawa Univ., Kanazawa) ,  INOKUMA T (Kanazawa Univ., Kanazawa) ,  KURATA Y (Kanazawa Univ., Kanazawa) ,  HASEGAWA S (Kanazawa Univ., Kanazawa)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 31  Issue： 3B  Page： L306-L308  Publication year： Mar. 15, 1992 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon carbide ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=92A0272898&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0599B") }}

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (4)： ラジオ ,  グロー放電 ,  堆積 ,  ひずみ