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J-GLOBAL ID：200902012781295736   Reference number：87A0379502

Defects in neutron irradiated SiC.

中性子照射されたSiC中の欠陥

Author (4)： NAGESH V (Univ. Missouri, MO, USA) ,  FARMER J W (Univ. Missouri, MO, USA) ,  DAVIS R F (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  KONG H S (North Carolina State Univ., NC, USA)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 50  Issue： 17  Page： 1138-1140  Publication year： Apr. 27, 1987 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： neutron irradiation ,...

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JST classification (3)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I)

Terms in the title (3)： 中性子照射 ,  SiC ,  欠陥