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J-GLOBAL ID：200902014153385168   Reference number：86A0353845

Monovacancy formation enthalpy in silicon.

けい素における単一空格子点形成エンタルピー

Author (3)： DANNEFAER S (Univ. Winnipeg, Canada) ,  MASCHER P (Univ. Winnipeg, Canada) ,  KERR D (Univ. Winnipeg, Canada)
Material： Physical Review Letters  (Phys Rev Lett)
Volume： 56  Issue： 20  Page： 2195-2198  Publication year： May. 19, 1986 
JST Material Number： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (2)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Positron annihilation  (BK16052L)

Terms in the title (3)： けい素 ,  空格子点 ,  エンタルピー