Art

J-GLOBAL ID：200902014660876386   Reference number：89A0237217

Oxidation studies of SiGe.

SiGeの酸化の研究

Author (5)： LEGOUES F K (IBM T.J. Watson Research Center, NY, USA) ,  ROSENBERG R (IBM T.J. Watson Research Center, NY, USA) ,  NGUYEN T (IBM T.J. Watson Research Center, NY, USA) ,  HIMPSEL F (IBM T.J. Watson Research Center, NY, USA) ,  MEYERSON B S (IBM T.J. Watson Research Center, NY, USA)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 65  Issue： 4  Page： 1724-1728  Publication year： Feb. 15, 1989 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicide ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=89A0237217&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Catalytic reactions(heterogeneous system)  (CB06100E)

Terms in the title (3)： SiGe ,  酸化 ,  研究