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J-GLOBAL ID：200902014804368275   Reference number：87A0304338

Observation of deep levels in cubic silicon carbide.

立方晶炭化けい素における深い準位の観測

Author (4)： ZHOU P (Howard Univ., Washington, D.C., USA) ,  SPENCER M G (Howard Univ., Washington, D.C., USA) ,  HARRIS G L (Howard Univ., Washington, D.C., USA) ,  FEKADE K (Howard Univ., Washington, D.C., USA)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 50  Issue： 19  Page： 1384-1385  Publication year： May. 11, 1987 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon carbide ,...

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JST classification (1)： Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I)

Terms in the title (4)： 立方晶 ,  炭化けい素 ,  深い準位 ,  観測