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J-GLOBAL ID：200902015727920691   Reference number：91A0056946

Effects of RbF interlayers at the Ge/GaAs interfaces.

Ge/GaAs界面におけるRbF中間層の効果

Author (5)： KLAUSER R (NTT 電子応用研) ,  OSHIMA MASAHIRO (NTT 電子応用研) ,  SUGAWARA HIROHIKO (NTT 電子応用研) ,  ANDO HIROSHI (NTEC) ,  MURATA YOSHITADA (東大 物性研)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
Volume： 51st  Issue： 3  Page： 1100  Publication year： Sep. 1990 
JST Material Number： Y0055A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (5)： Ge ,  GaAs ,  界面 ,  RbF ,  中間層