Art

J-GLOBAL ID：200902015772803450   Reference number：92A0369310

Inhibition of Silicon Oxidation during Low Temperature Epitaxial Growth.

低温エピタキシャル成長中のシリコン酸化の抑制

Author (2)： AGNELLO P D (IBM T.J. Watson Research Center, New York) ,  SEDGWICK T O (IBM T.J. Watson Research Center, New York)
Material： Journal of the Electrochemical Society  (J Electrochem Soc)
Volume： 139  Issue： 4  Page： 1140-1146  Publication year： Apr. 1992 
JST Material Number： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： micro circuit technique ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=92A0369310&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0285A") }}

JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (4)： 低温 ,  エピタキシャル成長 ,  シリコン ,  酸化