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J-GLOBAL ID：200902015928411116   Reference number：89A0350894

High performance CMOS surrounding gate transistor(SGT) for ultra high density LSIs.

超高密度LSI用の高性能CMOSサラウンディングゲートトランジスタ(SGT)

Author (7)： TAKATO H (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  SUNOUCHI K (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  OKABE N (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NITAYAMA A (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  HIEDA K (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  HORIGUCHI F (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  MASUOKA F (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 1988  Page： 222-225  Publication year： 1988 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： VLSI ,...
Semi thesaurus term： SGT

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： 高密度 ,  LSI ,  高性能 ,  CMOS ,  サラウンディングゲート ,  トランジスタ