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J-GLOBAL ID：200902016630355317   Reference number：89A0569337

Scanning-tunneling-microscopy study of the Si(111)-7×7 rest-atom layer following adatom removal by reaction with Cl.

Si(111)7×7表面のClとの反応により付着原子を除去した後の残留原子層の走査トンネル顕微鏡による研究

Author (2)： VILLARRUBIA J S (IBM Research Division, New York) ,  BOLAND J J (IBM Research Division, New York)
Material： Physical Review Letters  (Phys Rev Lett)
Volume： 63  Issue： 3  Page： 306-309  Publication year： Jul. 17, 1989 
JST Material Number： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...
Semi thesaurus term： STM

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JST classification (1)： Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Terms in the title (7)： Si ,  Cl ,  原子 ,  残留 ,  原子層 ,  走査トンネル顕微鏡 ,  研究