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J-GLOBAL ID：200902016793649270   Reference number：91A0809185

In situ spectroscopic ellipsometry study of the electron cyclotron resonance plasma oxidation of silicon and interfacial damage.

Siの電子サイクロトロン共鳴酸化および界面損傷のエリプソメトリーによるその場研究

Author (3)： HU Y Z (Univ. North Carolina, North Carolina) ,  JOSEPH J (Univ. North Carolina, North Carolina) ,  IRENE E A (Univ. North Carolina, North Carolina)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 59  Issue： 11  Page： 1353-1355  Publication year： Sep. 09, 1991 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V)

Terms in the title (7)： Si ,  電子サイクロトロン共鳴 ,  酸化 ,  界面 ,  損傷 ,  エリプソメトリー ,  研究