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J-GLOBAL ID：200902017817603370
Reference number：87A0051374
Highly lattice mismatched heteroepitaxy. (HM2) and its growth mechanism.
格子定数が大きく異なる基板上へのヘテロエピタキシー HM2のメカニズムをめぐって
Author (1)：
Material：
Volume：
55
Issue：
11
Page：
1069-1073
Publication year：
Nov. 1986
JST Material Number：
F0252A
ISSN：
0369-8009
CODEN：
OYBSA
Document type：
Article
Article type：
解説
Country of issue：
Japan (JPN)
Language：
JAPANESE (JA)
Thesaurus term：
Thesaurus term/Semi thesaurus term
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JST classification (2)：
JST classification
Category name(code) classified by JST.
半導体-半導体接触【’81~’92】
, Semiconductor thin films
Reference (23)：
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1) 第8回化合〓半導体ワークショップ (1986. 2. 下田)における,林厳雄(光共研),古川静二郎(東工大),竹田美和(京大)の諸氏と筆者らの自由討論の場で生まれた言葉.
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2) J. W. Matthews, A. E. Blakeslee and S. Mader: Thin Solid Films 33 (1976) 253.
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3) R. Fischer, T. Henderson, J. Klem, W. T. Masselink, W. Kopp and H. Morkoc: Electron. Lett. 20 (1984) 945.
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4) T. Soga, S. Sakai, M. Umeno and S. Hattori: J. Appl. Phys. 57 (1985) 4578.
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5) T. Soga, S. Sakai, M. Takeyasu, M. Umeno, and S. Hattori: Gallium Arsenide and Related Compounds, Inst. Phys. Conf. Ser. No. 79, (1986) p. 133.
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